[发明专利]半导体互连结构及形成方法有效
| 申请号： | 201110454104.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187395A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：
金属互连层，所述金属互连层包括金属层和与所述金属层边缘相连接的第一金属突出部；
位于所述第一金属突出部表面的导电插塞，
其中，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离大于最小设计尺寸。
2.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离小于或等于所述导电插塞到金属层边缘的距离。
3.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述导电插塞到金属层边缘的距离大于等于2μm。
4.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述金属突出部的宽度大于所述导电插塞的直径，小于或等于所述导电插塞的直径的1.5倍。
5.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述金属互连层还包括第二金属突出部，所述第二金属突出部位于所述导电插塞与第一金属突出部相接触的位置的至少一侧且与第一金属突出部相连接。
6.如权利要求5所述的半导体互连结构，其特征在于，所述金属互连层还包括至少一条金属互连线，所述第二金属突出部通过至少一条金属互连线与金属层电学连接。
7.如权利要求5或6所述的半导体互连结构，其特征在于，还包括，位于所述第二金属突出部表面的伪导电插塞。
8.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述金属层的面积大于所述第一金属突出部的面积。
9.一种半导体互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供金属互连层，所述金属互连层包括金属层和与所述金属层边缘相连接的第一金属突出部；
在所述金属互连层表面形成层间介质层；
在所述层间介质层内形成贯穿所述层间介质层的导电插塞，所述导电插塞位于第一金属突出部表面，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离大于最小设计尺寸。
10.如权利要求9所述的半导体互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属互连层还包括第二金属突出部，所述第二金属突出部位于所述导电插塞与第一金属突出部相接触的位置的至少一侧。
11.如权利要求10所述的半导体互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属互连层还包括至少一条金属互连线，所述第二金属突出部通过至少一条金属互连线与金属层电学连接。
12.如权利要求10所述的半导体互连结构的形成方法，其特征在于，还包括，在所述层间介质层内形成贯穿所述层间介质层的伪导电插塞，所述伪导电插塞位于第二金属突出部表面。
13.如权利要求12所述的半导体互连结构的形成方法，其特征在于，所述伪导电插塞与导电插塞在同一形成工艺中形成。
14.如权利要求9所述的半导体互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属互连层和导电插塞的材料为铜，形成工艺为双大马士革铜互连工艺。
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