[发明专利]图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器的感光区域，其特征在于，包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管，所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置，入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射，经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光，所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部，能够提高所述光电二极管的光俘获效率。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的感光区域，其特征在于，在入射光的光路上进一步设置一聚焦装置，所述聚焦装置进一步是一透镜或一透镜组，对入射到微镜表面的入射光进行聚焦。

3.根据权利要求2所述的图像传感器的感光区域，其特征在于，在所述聚焦装置和所述微镜之间进一步设置一滤色片。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的感光区域，其特征在于，所述光电二极管包括一PN结或者一PIN结。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的感光区域，其特征在于，所述微镜的表面进一步包括一金属反射膜。

6.根据权利要求1所述的图像传感器的感光区域，其特征在于，所述支撑衬底包括表面的绝缘埋层，所述微镜和光电二极管进一步是设置在所述绝缘埋层的表面。

7.一种权利要求1所述图像传感器的感光区域的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供半导体衬底； 在半导体衬底表面利用各向异性腐蚀形成微镜，所述微镜和半导体衬底表面具有一角度，所述角度大于零度且小于90度； 在半导体衬底表面形成光电二极管。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底进一步包括衬底、器件层以及上述两者之间的绝缘埋层，所述微镜和光电二极管形成于所述器件层中。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述微镜的平面与半导体衬底表面的夹角是45度。

10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成微镜后，进一步包括在所述微镜表面形成金属反射膜的步骤。

11.一种图像传感器，包括衬底、器件层以及上述两者之间的绝缘埋层，其特征在于，在所述器件层中至少包括至少一个权利要求1所述的感光区域。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述器件层中包括一棱锥，所述棱锥的底面设置于所述绝缘埋层的表面，所述棱锥的侧面为所述感光区域的微镜。

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管环绕设置在棱锥周围。

14.根据权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述棱锥为四棱锥，所述棱锥的侧面与绝缘埋层表面之间的夹角为45度。

15.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述器件层的厚度范围是50nm～500nm。

16.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述器件层中进一步设置有复位晶体管、源极跟随晶体管和行选晶体管。