[发明专利]光发射装置在审
申请号: | 201110454587.X | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN103187681A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 萧宇超 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01S3/131 | 分类号: | H01S3/131;H01S5/068 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 装置 | ||
1.一种光发射装置,包括一个激光器和一个用于调变该激光器发出的雷射光的光调变器,其特征在于:该光发射装置还包括一个驱动电路,该驱动电路与该激光器相连,该驱动电路具有根据该激光器温度变化而调节驱动电流的部份以稳定该激光器的输出波长。
2.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于:该驱动电路包括一个热敏电阻。
3.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于:该光发射装置还包括一个半导体光放大器,与该光调变器相连,用于使调变后的该雷射光发生四波混频而增加波长数目。
4.如权利要求3所述的光发射装置,其特征在于:该光发射装置还包括一个光耦合器,该光耦合器连接该光调变器和该半导体光放大器,用于将调变后的该雷射光耦合至该半导体光放大器。
5.如权利要求3所述的光发射装置,其特征在于:该光发射装置还包括一个解多任务器和多个光耦合器,该解多任务器用于将调变后的该雷射光分成多路光波后分至该多个光耦合器。
6.如权利要求1-5中任一项所述之光发射装置,其特征在于:该激光器为半导体激光器。
7.如权利要求1-5中任一项所述之光发射装置,其特征在于:该光调变器为马赫-曾德尔调变器。
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