[发明专利]有机电致发光显示装置有效
申请号: | 201110455389.5 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN102738194A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 金相大;崔盛勋;李锡宗;韩圭一;金炳秀;朴银贞;琴台一;曺贵正;曺永德;尹弘济 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光显示装置,所述有机电致发光显示装置包括:
第一基板,该第一基板包括具有多个像素区域的显示区域;
在每个像素区域中的第一电极;
在所述第一电极上的有机发光层;
在所述有机发光层上并在所述显示区域中的第二电极,其中所述第二电极包括:具有第一重量百分比、第一功函数和第一薄层电阻的第一金属材料;以及具有小于所述第一重量百分比的第二重量百分比、小于所述第一功函数的第二功函数和大于所述第一薄层电阻的第二薄层电阻的第二金属材料。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一重量百分比为大约70%到大约98%,所述第二重量百分比为大约2%到大约30%。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一功函数为大约4eV到大约5eV,所述第二功函数为大约2eV到大约4eV,其中所述第二电极的功函数小于所述第一电极的功函数,并且所述第二电极的功函数为大约4.2eV到大约4.9eV。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一薄层电阻为大约1欧姆/平方到大约15欧姆/平方,所述第二薄层电阻为大约100欧姆/平方或更大,其中所述第二电极的薄层电阻为大约5欧姆/平方到大约20欧姆/平方。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二电极在大约460nm的波长处具有大约40%或更高的光透射率,在大约530nm的波长处具有大约35%或更高的光透射率,在大约620nm的波长处具有大约25%或更高的光透射率。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一金属材料是银(Ag),所述第二金属材料是镁(Mg)或镱(Yb)。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二电极具有利用所述第一金属材料和所述第二金属材料的共沉积而形成的单层结构。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二电极具有双层结构,该双层结构包括具有第一厚度的所述第二金属材料的第一层、以及在所述第一层上并具有大于所述第一厚度的第二厚度的所述第一金属材料的第二层。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一厚度为大约到大约所述第二厚度为大约到大约
10.根据权利要求1所述的装置,还包括:
在所述有机发光层与所述第一电极之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个;和
在所述有机发光层与所述第二电极之间的电子传输层和电子注入层中的至少一个。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述空穴注入层包括CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-乙撑二氧噻吩)、PANI(聚苯胺)、和NPD(N,N-二萘基-N,N’-二苯基联苯胺)中的至少一种,其中所述空穴传输层包括NPD(N,N-二萘基-N,N’-二苯基联苯胺)、TPD(N,N’-二-(3-甲基苯基)-N,N’-二-(苯基)-联苯胺)、s-TAD和MTDATA(4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)中的至少一种,其中所述电子传输层包括Alq3(三-(8-羟基喹啉)-铝)、PBD、TAZ,螺环PBD、BAlq和SAlq中的至少一种,其中所述电子注入层包括Alq3(三-(8-羟基喹啉)-铝)、PBD、TAZ,螺环PBD、BAlq和SAlq中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述电子注入层还包括金属化合物,该金属化合物包括LiQ,LiF,NaF,KF,RbF,CsF,FrF,BeF2,MgF2,CaF2,SrF2,BaF2和RaF2中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的装置,还包括:
在所述第一电极下面的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;
覆盖所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管并暴露所述驱动薄膜晶体管的漏极的钝化层;和
与所述第一电极的外围部分重叠并位于所述像素区域之间的边界处的堤层,
其中所述第一电极位于所述钝化层上并与所述驱动薄膜晶体管的漏极接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的