[发明专利]溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110455404.6 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102534502A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吉川博树;稻月判臣;金子英雄 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 形成 用硅靶 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射膜形成用硅靶，其中硅靶材通过结合材料而附着至金属背衬板，
其中所述硅靶材由导电类型为n型的硅制成，并且
在所述硅靶材于所述结合材料侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材小的材料制成的导电层。
2.根据权利要求1的溅射膜形成用硅靶，其中所述导电层包含镧系元素、稀土元素、碱金属元素和碱土金属元素中的一种。
3.根据权利要求1的溅射膜形成用硅靶，其中所述导电层包含Y和镧系元素中的一种。
4.根据权利要求1至3中任一项的溅射膜形成用硅靶，其中所述硅靶材在室温下具有的电阻以体积电阻率计为1Ωcm以上。
5.根据权利要求1至3中任一项的溅射膜形成用硅靶，其中所述硅靶材为单晶。
6.一种形成含硅薄膜的方法，其中通过使用根据权利要求1至3中任一项的靶由含有氮和氩的气体来进行溅射。
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