[发明专利]有机发光二极管显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示器件，更具体地，涉及一种改进了显示质量的发光二极管(OLED)显示器件。

现有技术

在各种平板显示器件(FPD)中，有机发光二极管(OLED)显示器件具有相对高的亮度和相对低的驱动电压。此外，由于OLED显示器件是自发光的发射类型，因此OLED显示器件具有相对高的对比度和相对薄的外形。由于响应时间为几个微秒，OLED显示器件在显示移动图像方面具有优势。另外，OLED显示器件没有视角限制，即使在低温下也具有稳定性。由于OLED显示器件是用5V到10V的直流(DC)低电压来驱动的，因此容易设计和制造驱动电路。此外，由于沉积设备和封装设备是制造OLED显示器件所需的全部设备，因此制造OLED显示器件的工艺非常简单。因此，OLED显示器件被广泛应用于信息技术(IT)设备，例如电视、监视器和移动终端。

图1是示出现有技术的有源矩阵型有机发光二极管显示器件的电路图。图1中，有源矩阵型有机发光二极管(OLED)显示器件的像素区P包括开关薄膜晶体管STr、驱动薄膜晶体管DTr、存储电容器StgC以及发光二极管(LED)E。沿着第一方向布置选通线GL，沿着与第一方向交叉的第二方向布置数据线DL。选通线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区P。电力线PL与选通线GL和数据线DL之一平行且分离。

开关TFT STr与选通线GL和数据线DL相连，驱动TFT DTr与开关TFT STr电连接。此外，驱动TFTDTr与LED E和电力线PL电连接。例如，LEDE的第一电极可以与驱动TFT DTr的漏极相连，并且LED E的第二电极可以与电力线PL相连。因此，电力线PL的源电压通过驱动TFT DTr传送到LED E。存储电容器StgC形成在驱动TFT DTr的栅极与源极之间。

将选通信号施加到选通线GL时，开关TFT STr导通并且数据线DL的数据信号施加在驱动TFT DTr的栅极上。因此，驱动TFT DTr导通并且从LED E发光。从LEDE发出的光的灰度取决于从电力线PL通过驱动TFT DTr流到LED E的电流的密度。由于当开关TFT截止时存储电容器StgC保持驱动TFT DTr的栅极的电压不变，所以在一帧时间内，即使开关TFT STr截止也会有恒定的电流通过LED E。

开关TFT STr和驱动TFT DTr可以包括多晶硅的半导体层。通过形成非晶硅层的步骤和对非晶硅层进行结晶的步骤来形成多晶硅半导体层。对非晶硅进行结晶的步骤可以通过多种结晶方法实现，比如采用热的结晶方法或者采用激光束的结晶方法。

在各种结晶方法中，采用激光束的连续性侧向长晶(SLS)备受关注。SLS方法的优势在于，多晶硅的晶粒从液相硅和固相硅之间的相界横向生长。SLS方法通过控制用于使晶粒生长的激光束的能量密度和激光束的辐射范围能够增大晶粒的尺寸。

然而，由于通过SLS方法制造的多晶硅的晶粒尺寸根据方向而不同，所以通过SLS方法制造的包括多晶硅的半导体层的TFT的性能也会根据方而不同。因此，半导体层的电阻和TFT的性能取决于主晶界的方向和TFT沟道的方向。当晶粒生长方向平行于TFT沟道的方向时，TFT具有良好的器件性能。当晶粒生长方向垂直于TFT沟道的方向时，相对于晶粒生长方向平行于沟道生长方向的TFT来说，该TFT的器件性能变差。然而，与晶粒生长方向平行于沟道方向的TFT相比，该TFT在器件性能方面具有改进的均匀性。

OLED显示器件的每个像素区都可以包括控制数据信号的开关TFT和控制LED电流的驱动TFT。据此，OLED显示器件的每个像素区都需要至少两个TFT以及用来获得所述至少两个TFT的保持特性的至少一个存储电容器。为了获得均匀的显示质量，OLED显示器件的每个像素区都包括多个TFT。

然而，由于TFT的性能和均匀性取决于多晶硅的晶粒生长方向，所以当没有考虑晶粒生长方向来布置这多个TFT时，由于TFT性能差异可能会导致OLED显示器件变差，比如出现闪烁。因此，降低了OLED显示器件的显示质量。

发明内容