[发明专利]单晶炉的热场

说明书

技术领域

本发明涉及一种单晶炉的热场，属于单晶硅的生产制造设备领域。

背景技术

单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，目前单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造单晶硅时，要将多晶料置于石英坩埚中，经过高温加热使其熔化，然后籽晶由顶部降下至熔化的多晶硅中，通过控制液面的温度，使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶，生成排列整齐的单晶硅棒。

单晶硅晶体从溶液中生长结晶时会释放出热量和一氧化碳气体，这些热量和一氧化碳气体会减慢硅单晶的结晶速度，影响单晶硅的生产效率。然而目前的单晶炉的热场均未设置排气系统，导致热量无法迅速散出，从而影响了生产效率。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种可以将热量和气体及时排出，保证单晶硅生产效率的单晶炉的热场。

本发明的目的是这样实现的：

本发明单晶炉的热场，包括炉体，所述炉体内设置有保温筒，炉体与保温筒之间设置有保温毡，所述炉体内部设有坩埚托盘，所述坩埚托盘底部通过坩埚轴与炉体底部相固定，所述坩埚托盘内设有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设有石英坩埚，所述石英坩埚外侧设有加热器，所述加热器通过加热电极固定在炉体底部，所述炉体下部的两侧设置有真空抽口，所述真空抽口穿过炉体、保温毡和保温筒，并与保温筒和加热器之间的内腔相连通。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

这种单晶炉的热场能够及时地通过真空抽口将石英坩埚内硅溶液挥发的一氧化碳以及单晶硅结晶时释放的热量排除炉体外，使得热量迅速排出，提高了单晶硅结晶的速度，并且提高了生产效率。

附图说明

图1为本发明单晶炉的热场的结构示意图。

其中：炉体1、保温筒2、保温毡3、坩埚托盘4、坩埚轴5、石墨坩埚6、石英坩埚7、加热器8、加热电极9、真空抽口10。

具体实施方式

参见图1，本发明涉及单晶炉的热场，它包括炉体1，所述炉体1内设置有保温筒2，炉体1与保温筒2之间设置有保温毡3，所述炉体1内部设有坩埚托盘4，所述坩埚托盘4底部通过坩埚轴5与炉体1底部相固定，所述坩埚托盘4内设有石墨坩埚6，所述石墨坩埚6内设有石英坩埚7，所述石英坩埚7外侧设有加热器8，所述加热器8通过加热电极9固定在炉体1底部。

所述炉体1下部的两侧设置有真空抽口5，所述真空抽口5穿透炉体1、保温毡3和保温筒2，并与保温筒3和加热器4之间的内腔相连通。

这种单晶炉的热场能够及时地通过真空抽口5将石英坩埚7内硅溶液挥发的一氧化碳以及单晶硅结晶时释放的热量排除炉体外，使得热量迅速排出，提高了单晶硅结晶的速度，并且提高了生产效率。