[发明专利]高压放电模块以及具备该模块的高压放电装置无效

专利信息
申请号: 201110456847.7 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102570441A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 管恩振;王凯;王维重;陈毅;黄艳敏 申请(专利权)人: 东软飞利浦医疗设备系统有限责任公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 110179 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 高压 放电 模块 以及 具备 装置
【权利要求书】:

1.一种高压放电模块,其特征在于,包括:

在上述高压放电模块的电流输入端和电流输出端之间串连连接的多个放电单元;

隔离变压器,包括一个初级输入线圈和变压比相同的多个次级输出线圈,为上述多个放电单元分别提供驱动电压;以及

多个负载电阻,分别串联连接在上述多个放电单元与上述电流输入端之间以及上述多个放电单元之间,其中,上述放电单元分别包括:

晶体管开关元件;

连接在上述晶体管开关元件的漏电极与源电极之间的旁路电阻;

并联连接在上述晶体管开关元件的上述栅电极与上述源电极之间的栅极控制电路,上述栅极控制电路包括串联连接的上述隔离变压器的多个次级输出线圈中的某一个、限流电阻以及二极管。

2.根据权利要求1所述的高压放电模块,其特征在于,

在上述晶体管开关元件的上述栅电极与上述源电极之间还分别并联连接着双向二极管和电容器。

3.根据权利要求1所述的高压放电模块,其特征在于,

上述多个负载电阻是具有相同的低阻值的电阻,上述各放电单元的旁路电阻是具有相同的高阻值的电阻。

4.根据权利要求1所述的高压放电模块,其特征在于,

上述晶体管开关元件是N沟道MOSFET、P沟道MOSFET和绝缘栅双极型晶体管中的任一种。

5.一种高压放电装置,具备用于产生高电压的倍压电路,其特征在于,

在上述倍压电路的两端并联连接着根据权利要求1至4中任一项所述的高压放电模块,上述高压放电模块的电流输入端连接在上述倍压电路的正极端,上述高压放电模块的电流输出端连接在上述倍压电路的负极端。

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