[发明专利]光学邻近效应修正方法及相应的掩膜图形形成方法有效
申请号: | 201110456959.2 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103186032A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 万金垠;王谨恒;张雷;陈洁 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜娟娟;王忠忠 |
地址: | 214028 中国无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 邻近 效应 修正 方法 相应 图形 形成 | ||
1.一种光学邻近效应修正方法,包括模拟预期光刻图形,获得所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差,依据所述差调整所述预期光刻图形,其特征在于,依据所述差对预期光刻图形进行调整包括根据模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差与调整因子之间的预设关系,获得与所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差相对应的调整因子,由所述差与所述调整因子相乘获得所述预期光刻图形的调整量,以及根据该调整量调整所述预期光刻图形。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述调整因子的大小随所述差的增大而变大。
3. 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述调整因子小于1。
4. 一种用于形成掩膜图形的方法,其包括通过权利要求1到3中任意一个所述的光学邻近效应修正方法获得预期光刻图形,根据所述预期光刻图形在掩膜版上形成掩膜图形。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备