[发明专利]具有过压、欠压和过流保护功能的总线接口输出级驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种输出级驱动电路，尤其是一种具有过压、欠压和过流保护功能的总线接口输出极驱动电路，属于总线驱动电路的技术领域。

背景技术

图1为现有总线驱动电路的框图。一般来说，总线驱动电路由两部分组成，一部分是驱动输出级电路的控制逻辑，另一部分是总线驱动输出级电路。驱动电路的控制模块提供信号给输出级驱动电路，输出级驱动电路完成对总线的驱动；以及总线异常情况下，对输出级驱动电路自身的保护和对总线的隔离。

一般情况下，对于驱动总线的输出驱动级而言，由于总线上会出线总线电压比输出驱动级的电源电压高或者比输出驱动级的低电平低的情况，平且在有的时候总线上电压的异常会造成总线输出级驱动电路的驱动电流过大而损害总线输出级驱动电路。所以在设计总线输出级驱动电路时，要针对这些总线的特定情况来实现输出级驱动电路的具体实现方式。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有过压、欠压和过流保护功能的总线接口输出级驱动电路，其结构紧凑，具有过压、欠压和过流保护，安全可靠。

按照本发明提供的技术方案，所述具有过压、欠压和过流保护功能的总线接口输出级驱动电路，包括PMOS上拉驱动电路及NMOS下拉驱动电路；所述PMOS上拉驱动电路包括第一P型MOS管，所述第一P型MOS管的栅极端与第一N型高压MOS管的栅极端相连后形成连接端PG1，第一P型MOS管的背栅端与源极端相连，且第一P型MOS管的源极端分别与第二P型MOS管、第六P型高压MOS管、第六P型MOS管及第七P型MOS管对应的背栅端及源极端相互连接；第一P型MOS管的漏极端与源极端间通过第七电阻相连，且第一P型MOS管的漏极端与第一P型高压MOS管的漏极端相连；第一高压P型MOS管的背栅端、源极端均与第一N型高压NMOS管的漏极端相连，且第一P型高压MOS管的源极端通过第二电阻与第四P型高压MOS管的漏极端、第八P型高压MOS管的栅极端相连；第一P型高压MOS管的栅极端与第二P型高压MOS管的栅极端、第九P型高压MOS管的栅极端及第十P型高压MOS管的栅极端相连，且第一P型高压MOS管的栅极端通过第三电阻与第三P型高压MOS管的漏极端相连；

第一N型高压MOS管的源极端与背栅端相连，并分别与第二N型高压MOS管、第三N型高压MOS管、第一N型MOS管、第四N型高压MOS管及第五N型高压MOS管对应的背栅端及源极端相互连接，且第一N型高压MOS管的源极端通过第八电阻与第十P型高压MOS管的源极端及背栅端相连；

第二P型MOS管的栅极端与第二N型高压MOS管的栅极端相连后形成连接端PG2；第二N型高压MOS管的漏极端与第二P型高压MOS管的源极端、背栅端相连；第二P型高压MOS管的漏极端与第二P型MOS管的漏极端相连，第二P型MOS管的漏极端与源极端间通过第六电阻相连；第二N型高压MOS管的漏极端及第二P型高压MOS管的源极端均通过第一电阻与第五P型高压MOS管的漏极端、第七P型高压MOS管的栅极端相连；

第五P型高压MOS管的栅极端与第三P型高压MOS管的栅极端、第四P型高压MOS管的栅极端、第五N型高压MOS管的漏极端、第八P型MOS管的栅极端、漏极端、第十P型高压MOS管的源极端、背栅端及第十一P型高压MOS管的栅极端相连；第五P型高压MOS管的背栅端、源极端与第三P型高压MOS管、第四P型高压MOS管、第六P型高压MOS管、第七P型高压MOS管及第八P型高压MOS管对应的背栅端、源极端相互连接后形成连接端F_NW；

第三P型高压MOS管对应于与第三电阻相连的漏极端与第六P型高压MOS管的栅极端相连，第六P型高压MOS管的漏极端与第一寄生二极管的阳极端相连，第一寄生二极管的阴极端与第六P型高压MOS管的背栅端相连；第七P型高压MOS管的漏极端与第二寄生二极管的阳极端相连，第二寄生二极管的阴极端与第七P型高压MOS管的背栅端相连；第八P型高压MOS管的漏极端与第三寄生二极管的阳极端相连，第三寄生二极管的阴极端与第八P型高压MOS管的背栅端相连；第七P型高压MOS管的漏极端、第八P型高压MOS管的漏极端与第十一P型高压MOS管的源极端对应连接后形成输出端OUT；