[发明专利]具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的制作方法

权利要求书

1.一种具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的制作方法，包括

提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一层间介质层和至少一个牺牲结构，所述牺牲结构的材质为能够热分解的聚合物；

在所述牺牲结构两侧及第一层间介质层上依次形成支撑层和牺牲层；

刻蚀所述牺牲结构和第一层间介质层，以在所述牺牲结构及第一层间介质层中形成通孔；

进行热分解，去除剩余的牺牲结构，形成凹槽；

在所述通孔和凹槽中形成金属通孔插塞和金属连线层；

刻蚀所述牺牲层，形成间隙；

形成第二层间介质层，在所述间隙中形成空气间隙。

2.如权利要求1所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述热分解过程的温度高于所述牺牲结构的分解温度。

3.如权利要求1所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述支撑层的材质为碳氧化硅、二氧化硅、多孔硅中的一种或其任意组合。

4.如权利要求1所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述第一层间介质层的材质为低介电常数物质、碳氧化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或其组合。

5.如权利要求1所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为低介电常数物质、氧化硅或氮氧化硅中的一种或其任意组合。

6.如权利要求1所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述罩层的材质为低介电常数物质、多孔硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或其任意组合。

7.如权利要求1所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述凹槽的截面宽度小于或等于牺牲结构的截面宽度。

8.一种具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一层间介质层和至少一个牺牲结构，所述牺牲结构的材质为能够热分解的聚合物；

在所述牺牲结构两侧及第一层间介质层上覆盖支撑层和牺牲层，所述牺牲层的材质为能够热分解的聚合物；

刻蚀所述牺牲结构和第一层间介质层，以在所述牺牲结构和第一层间介质层形成通孔；

进行第一次热分解，去除剩余的牺牲结构，形成凹槽；

在所述通孔和凹槽中填充形成金属通孔插塞和金属连线层；

在所述牺牲层和金属连线层上覆盖罩层，所述罩层的材质为多孔物质；

进行第二次热分解，分解所述牺牲层，以形成空气间隙，并在所述罩层上形成第二层间介质层。

9.如权利要求8所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的分解温度高于所述牺牲结构的分解温度，所述第一次热分解的温度高于所述述牺牲结构的分解温度并低于所述牺牲层的分解温度，所述第二次热分解的温度高于所述牺牲层的热分解温度。

10.如权利要求8所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述支撑层的材质为碳氧化硅、二氧化硅、多孔硅中的一种或其任意组合。

11.如权利要求8所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述第一层间介质层的材质为低介电常数物质、碳氧化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或其组合。

12.如权利要求8所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述罩层的材质为多孔物质。

13.如权利要求8所述的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述凹槽的截面宽度小于或等于牺牲结构的截面宽度。