[发明专利]定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场

权利要求书

1.一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)熔化前：保温腔底板与保温腔侧壁同时上移，两者之间保持闭合状态，保温腔底板与石墨助凝块之间的距离为0～200mm；

2)高温熔化；

3)长晶：保温腔底板和保温腔侧壁先同时下移5～500mm，然后保温腔侧壁逐渐上移，保温腔底板逐渐下移，使两者分离形成缝隙；

4)冷却：石墨助凝块与保温腔侧壁相对保持静止，保温腔底板随晶体温度的下降而逐渐向下移动。

2.如权利要求1所述的定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法，其特征在于：所述的步骤3)中石墨助凝块下表面通过保温腔底板与保温腔侧壁的缝隙与热场炉壁发生热交换。

3.如权利要求1所述的定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法，其特征在于：所述的步骤4)中当晶体的温度高于800℃时，保温腔底板缓慢下移；当晶体温度低于800℃时，保温腔底板加快下移速度。

4.一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的热场，其特征在于：由上炉体(9)和下炉体(6)组成炉腔，炉腔内设置有由保温腔顶板(1)、保温腔侧壁(11)以及保温腔底板(12)组成的保温腔，保温腔内自上而下依次设置有石英陶瓷坩埚(2)、石墨坩埚(3)以及石墨助凝块(4)，石墨助凝块(4)的下表面的中部设置有支撑柱(6)；石墨坩埚(3)的外部上方设置有加热器(10)，所述的保温腔顶板(1)的中部设置有导气筒(8)；所述的保温腔底板(12)与保温腔侧壁(11)可分离式设置，保温腔侧壁(11)的顶部设置有侧壁拉杆(7)，所述的侧壁拉杆(7)垂直延升至上炉体(9)的外部；保温腔底板(12)的下表面连接底板拉杆(13)，底板拉杆(13)垂直延升至下炉体(5)的外部。

5.如权利要求4所述的定向凝固法生长铸锭多晶硅的热场，其特征在于：所述的保温腔底板(12)和保温腔侧壁(11)同时或各自上下移动，所述的保温腔侧壁(11)的内径大于保温腔底板(12)的外径5～20mm。