[发明专利]一种四氯化硅的提纯方法及其设备

权利要求书

1.一种柱形填料，包括不锈钢柱形外壳，所述不锈钢柱形外壳内填充有聚对苯二甲酰对苯二胺纤维和聚四氟乙烯空心圆柱体。

2.如权利要求1所述的柱形填料，其特征在于，所述柱形外壳是由不锈钢制成的圆柱形外壳，外径为2～3mm，聚四氟乙烯空心圆柱体同轴安放于不锈钢外壳内部，聚四氟乙烯空心圆柱体的外径比不锈钢外壳的内径小0.1～0.5mm，所述聚四氟乙烯空心圆柱体内部和圆柱体与不锈钢外壳之间均填充聚对苯二甲酰对苯二胺纤维；所述柱形填料的高度为1.2～3m。

3.装置有权利要求1或2所述填料的精馏填料塔，包括塔壳体、冷却装置、填料、填料支承装置和加热装置，其特征在于，所述精馏填料塔的底部有进料口，所述精馏填料塔的中部有出料口，所述精馏填料塔的上部有轻组分出口，所述冷却装置位于所述精馏填料塔的顶部，所述填料直立地安放于填料支承装置上，所述填料支承装置的材料是含钼不锈钢，所述加热装置位于所述精馏填料塔底部。

4.如权利要求3所述的精馏填料塔，其特征在于，所述精馏填料塔中部的出料口的高度是所述精馏填料塔的高度的0.4～0.6；轻组分出口的高度是所述精馏填料塔高度的0.8～0.9，所述精馏填料塔塔顶有尾气出口。

5.如权利要求3所述的精馏填料塔，其特征在于，所述精馏填料塔塔顶的温度用冷却装置控制，所述冷却装置是光辐射空冷器，光辐射空冷器使用的光源的波长为200nm～500nm。

6.使用权利要求3～5任一所述精馏填料塔的提纯四氯化硅的方法，其特征在于，使用精馏的方法提纯，精馏时控制塔顶温度为50～55℃，当塔釜温度到达60～70℃时，开始出料，回流比为10∶1～30∶1。

7.如权利要求6所述的提纯四氯化硅的方法，其特征在于，所述提纯是用粗四氯化硅为原料，原料中四氯化硅含量为99.0～99.9％，主要的杂质包括二氯二氢硅和三氯氢硅；当原料中四氯化硅的含量为99.0～99.3％时，控制塔顶温度为50～52℃，回流比20～30∶1；当原料中四氯化硅的含量为99.4～99.9％时，控制塔顶温度为53～55℃，回流比10～20∶1。

8.如权利要求6所述的提纯四氯化硅的方法，其特征在于，所述精馏的原料在进入进料口之前要经过硅胶吸附柱。

9.如权利要求6所述的提纯四氯化硅的方法，其特征在于，所述精馏的产物中，沸点为30～50℃的组份为轻组分，从精馏塔的轻组分出口排出；沸点在50～60℃的组分为产品，从精馏填料塔中部的出料口排出；沸点60～100℃的组份为重组分，留在塔底部。

10.如权利要求6所述的提纯四氯化硅的方法，其特征在于，所述精馏的产品从精馏塔的出料口出来之后，还需要经过冷凝。