[发明专利]一种叠层结构有机电致发光器件无效

专利信息
申请号: 201110457826.7 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN102569660A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 邱勇;张国辉;段炼 申请(专利权)人: 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 张建纲
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 有机 电致发光 器件
【权利要求书】:

1.一种叠层有机电致发光器件,包括基板,以及依次形成在所述基板上的阳极层、若干个发光单元层和阴极层;在相邻所述发光单元层之间具有连接层,所述连接层具有至少四层结构,包括至少三层电子传输层和一层空穴传输层,所述电子传输层与所述空穴传输层的厚度分别为1-100 nm,所述电子传输层与所述空穴传输层相接触的面为电荷分离界面,其特征在于:     形成所述电荷分离界面的所述电子传输层采用LUMO能级高于5.0 eV的有机材料,或者采用导带能级为5.5-6.5 eV的无机材料;     形成所述电荷分离界面的所述空穴传输层采用HOMO能级不高于5.7 eV的有机材料。

2.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于:形成所述电荷分离界面的所述电子传输层采用厚度为1-100 nm、LUMO能级为5.0-5.6 eV的有机材料。

3.根据权利要求2所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于:所述连接层具有四层所述电子传输层和一层所述空穴传输层,其中     电子传输层N1,采用厚度为1-100 nm、LUMO能级为2.5-3.2 eV的有机材料掺杂活泼金属;       电子传输层N2,采用厚度为1-100 nm、LUMO能级为3.9-4.3 eV的有机材料;     电子传输层N3,采用厚度为1-100 nm、LUMO能级为4.4-4.7 eV的有机材料;     电子传输层N4,采用厚度为1-100 nm、LUMO能级为5.0-5.6 eV的有机材料,或者采用厚度为1-100 nm、导带能级为5.5-6.5 eV的无机材料;所述电子传输层N4与所述空穴传输层相接触;     所述空穴传输层,采用厚度为1-100 nm 、HOMO能级低于5.7 eV的有机材料。

4.根据权利要求3所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于:     所述电子传输层N1采用Bphen、DPPyA、DPyPA或Alq3;所述电子传输层N1的掺杂剂为活泼金属或者有机金属盐类;     所述电子传输层N2采用NTCDA或PTCBI;     所述电子传输层N3采用PTCDA;     所述电子传输层N4采用厚度为1-100 nm、LUMO能级为5.5 ev的HAT,或者采用厚度为1-50 nm、导带能级为6.0 eV的MoO3;     所述空穴传输层采用NPB或TCTA或TAPC。

5.根据权利要求3或4所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于:所述连接层具有四层所述电子传输层和一层所述空穴传输层,其中     电子传输层N1,采用Alq:Li,厚度为1-100 nm,其中Alq的LUMO能级为3.1 eV;     电子传输层N2,采用PTCBI,厚度为1-3 nm,LUMO能级为4.1 eV;     电子传输层N3,采用PTCDA, 厚度为1-3 nm,LUMO能级为4.4 eV;     电子传输层N4,采用HAT,厚度为1-100 nm,LUMO能级为5.5 eV;或者采用MoO3,厚度为1-50 nm,导带能级为6.0 eV ;所述电子传输层N4与所述空穴传输层相接触;     所述空穴传输层采用NPB,厚度为1-100nm,HOMO能级为5.4 eV。

6.根据权利要求5所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于:     所述电子传输层N1的厚度为10-50 nm;     所述电子传输层N2的厚度为1.5-2.5 nm;     所述电子传输层N4,采用HAT,厚度为10-50 nm,LUMO能级为5.5 eV;     所述空穴传输层的厚度为10-50nm。

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