[发明专利]带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄夹具及减薄工艺方法有效
申请号: | 201110457992.7 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187350A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 刘胜;陈照辉;汪学方;王宇哲 | 申请(专利权)人: | 刘胜 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/302 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 李平 |
地址: | 200120 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 通孔电 镀铜 硅圆片减薄 夹具 工艺 方法 | ||
1.一种带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄的夹具,包括夹具圆片,其特征在于夹具圆片上设有可容纳减薄硅圆片上铜凸点的沟槽,夹具圆片的材料为硅片或者金属圆片,夹具圆片上设有用于减薄硅圆片与夹具圆片对准用的标记。
2.一种带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄工艺方法,其特征在于所述工艺依次包含以下步骤:
A在硅圆片的通孔背部进行电镀封孔,封孔工艺完成后,进行填孔电镀,电镀过程中在硅圆片的正面形成铜凸点;
B根据硅圆片通孔上的铜凸点制作掩模板,经掩模板确定夹具圆片上的沟槽形状及分布状况;
C采用光刻工艺将掩模板上的图形转移到夹具圆片上,采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺刻蚀出沟槽,并刻蚀制作对准标记;
D利用对准标记将带有电镀铜凸点的硅圆片与夹具圆片对准,然后进行固定;
E采用机械方式从背面对带铜凸点硅圆片进行机械磨削,完成机械磨削后,利用化学机械抛光去除机械磨削造成的损伤层;
F完成带铜凸点硅圆片背部减薄后,进行带铜凸点硅圆片正面的减薄,采用机械方式从正面对带铜凸点硅圆片进行机械磨削,完成机械磨削后,利用化学机械抛光工艺去除机械磨削造成的损伤层。
3.根据权利要求2所述的带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄工艺方法,其特征在于所述步骤C中通过刻蚀、腐蚀或机械加工的方法制作而成的夹具圆片上的沟槽的宽度大于硅圆片上铜凸点的直径,深度大于硅圆片上铜凸点的高度,其截面为方形或半圆型或倒梯形。
4.根据权利要求2所述的带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄工艺方法,其特征在于所述步骤C中减薄夹具圆片为硅材料,夹具圆片上的沟槽通过干法刻蚀或湿法刻蚀制作而成,或者夹具圆片为金属材料不锈钢或金属铜,夹具圆片上的沟槽可通过腐蚀或机械加工制作而成,夹具圆片的表面经过抛光处理。
5.根据权利要求2所述的带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄工艺方法,其特征在于所述步骤D中的对准标记将硅圆片固定在夹具圆片上,所述步骤E通过机械磨削、化学机械抛光方法完成硅圆片减薄。
6.根据权利要求2所述的带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄工艺方法,其特征在于所述步骤D中的硅圆片与夹具的固定方式为真空吸附或临时键合,真空吸附方式在夹具圆片上设有真空吸附的通孔,临时键合方式所用的粘接剂为高分子粘接材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘胜,未经刘胜许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110457992.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造