[发明专利]提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置和方法有效
申请号: | 201110458036.0 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187242A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 王新鹏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01J37/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 刻蚀 cd 均匀 装置 方法 | ||
1.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,包括:
腔体;
晶圆放置台,设置于所述腔体中,所述晶圆放置台用于放置晶圆;
转动轴,与所述晶圆放置台连接,用于带动晶圆转动;
刻蚀源供应装置,设置于所述腔体中并位于所述晶圆上方。
2.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,还包括驱动机构,所述驱动机构用于带动所述转动轴转动。
3.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,所述驱动机构为电动马达。
4.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,所述晶圆放置台通过电磁力支撑所述晶圆。
5.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,所述刻蚀源为等离子体刻蚀源或气相刻蚀源。
6.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,利用权利要求1至5中任意一项所述的装置,包括以下步骤:
将晶圆放置于所述晶圆放置台上;
进行刻蚀阶段,通入刻蚀源对晶圆进行刻蚀,同时启动所述转动轴带动所述晶圆转动;
进行稳定阶段,停止通入刻蚀源,所述晶圆停止水平转动;
重复进行所述刻蚀阶段。
7.如权利要求6所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,其特征在于,在晶圆转动的过程中,转速小于300转/分钟。
8.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,利用如权利要求1至5中任意一项所述的装置,包括以下步骤:
将晶圆放置于所述晶圆放置台上;
进行刻蚀阶段,通入刻蚀源对晶圆进行刻蚀,所述晶圆静止;
进行稳定阶段,停止通入刻蚀源,同时启动所述转动轴带动所述晶圆转动;
重复进行所述刻蚀阶段。
9.如权利要求8所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,其特征在于,在晶圆转动的过程中,转速小于300转/分钟。
10.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,利用如权利要求1至5中任意一项所述的装置,包括以下步骤:
将晶圆放置于所述晶圆放置台上;
进行刻蚀阶段,通入刻蚀源对晶圆进行刻蚀,同时所述转动轴带动所述晶圆转动;
进行稳定阶段,停止通入刻蚀源,同时所述转动轴带动所述晶圆转动;
重复进行所述刻蚀阶段。
11.如权利要求10所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,其特征在于,在晶圆转动的过程中,转速小于300转/分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110458036.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种界面钝化改善高k栅介质性能的方法
- 下一篇:一种隔离开关安全自锁装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造