[发明专利]提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201110458036.0 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103187242A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 王新鹏 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01J37/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 提高 刻蚀 cd 均匀 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,包括:

腔体;

晶圆放置台,设置于所述腔体中,所述晶圆放置台用于放置晶圆;

转动轴,与所述晶圆放置台连接,用于带动晶圆转动;

刻蚀源供应装置,设置于所述腔体中并位于所述晶圆上方。

2.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,还包括驱动机构,所述驱动机构用于带动所述转动轴转动。

3.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,所述驱动机构为电动马达。

4.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,所述晶圆放置台通过电磁力支撑所述晶圆。

5.如权利要求1所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,其特征在于,所述刻蚀源为等离子体刻蚀源或气相刻蚀源。

6.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,利用权利要求1至5中任意一项所述的装置,包括以下步骤:

将晶圆放置于所述晶圆放置台上;

进行刻蚀阶段,通入刻蚀源对晶圆进行刻蚀,同时启动所述转动轴带动所述晶圆转动;

进行稳定阶段,停止通入刻蚀源,所述晶圆停止水平转动;

重复进行所述刻蚀阶段。

7.如权利要求6所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,其特征在于,在晶圆转动的过程中,转速小于300转/分钟。

8.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,利用如权利要求1至5中任意一项所述的装置,包括以下步骤:

将晶圆放置于所述晶圆放置台上;

进行刻蚀阶段,通入刻蚀源对晶圆进行刻蚀,所述晶圆静止;

进行稳定阶段,停止通入刻蚀源,同时启动所述转动轴带动所述晶圆转动;

重复进行所述刻蚀阶段。

9.如权利要求8所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,其特征在于,在晶圆转动的过程中,转速小于300转/分钟。

10.一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,利用如权利要求1至5中任意一项所述的装置,包括以下步骤:

将晶圆放置于所述晶圆放置台上;

进行刻蚀阶段,通入刻蚀源对晶圆进行刻蚀,同时所述转动轴带动所述晶圆转动;

进行稳定阶段,停止通入刻蚀源,同时所述转动轴带动所述晶圆转动;

重复进行所述刻蚀阶段。

11.如权利要求10所述的提高晶圆的刻蚀CD均匀度的方法,其特征在于,在晶圆转动的过程中,转速小于300转/分钟。

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