[发明专利]托盘装置、托盘及半导体处理设备

权利要求书

1.一种托盘装置，包括用于提供工艺气体的气体输送通道和至少一个用于承载基片的托盘，对应于所述托盘的基片承载面而在所述气体输送通道上设置气体喷口，并且所述托盘的基片承载面包括承载区和非承载区，其特征在于，所述气体喷口均朝向所述承载区并相对于所述承载区所在平面倾斜设置。

2.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，每一个所述托盘均为中空的环形结构，在所述气体输送通道上对应于每一个所述托盘均设置有气体喷口，并且每一个所述气体喷口均相对于与之对应的所述托盘的承载区所在平面倾斜设置。

3.根据权利要求2所述的托盘装置，其特征在于，所述气体输送通道沿所述多个托盘的层叠方向贯穿各个托盘的中空部分，并且

对于每一个所述托盘而言，其非承载区均靠近所述托盘的内缘，其承载区均靠近所述托盘的外缘，并且所述承载区与所述非承载区之间的夹角为钝角。

4.根据权利要求3所述的托盘装置，其特征在于，所述气体喷口的中心线与所述非承载区相平行。

5.根据权利要求2所述的托盘装置，其特征在于，所述气体输送通道设置在所述多个托盘的外围，并且

对于每一个所述托盘而言，其承载区靠近所述托盘的内缘，其非承载区靠近所述托盘的外缘，并且所述承载区与所述非承载区之间的夹角为钝角。

6.根据权利要求5所述的托盘装置，其特征在于，所述气体喷口的中心线与所述非承载区相平行。

7.根据权利要求2所述的托盘装置，其特征在于，所述气体输送通道沿所述多个托盘的层叠方向贯穿各个托盘的中空部分，并且

对于每一个所述托盘而言，其承载区靠近所述托盘的内缘，其非承载区靠近所述托盘的外缘，所述承载区和所述非承载区处于同一个平面内，所述气体喷口靠近所述承载区并朝向所述承载区而设置。

8.根据权利要求7所述的托盘装置，其特征在于，所述气体输送通道设置在所述多个托盘的外围且沿所述多个托盘的层叠方向延伸覆盖各托盘，并且

对于每一个所述托盘而言，其承载区靠近所述托盘的外缘，其非承载区靠近所述托盘的内缘，所述承载区和所述非承载区处于同一个平面内，所述气体喷口靠近所述承载区并朝向所述承载区而设置。

9.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，还包括第一旋转机构，其单独连接所述气体输送通道或者所述托盘，并带动与之相连的所述气体输送通道或所述托盘旋转。

10.根据权利要求9所述的托盘装置，其特征在于，还包括第二旋转机构，在所述第一旋转机构连接所述气体输送通道和所述托盘二者中的一个时，所述第二旋转机构连接二者中的另一个，以使所述气体输送通道和所述托盘相对旋转。

11.根据权利要求2-10中任意一项所述的托盘装置，其特征在于，所述多个托盘的承载区彼此平行，并且所述多个托盘的非承载区彼此平行。

12.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，所述托盘的上表面和下表面均为基片承载面。

13.一种托盘，其上的基片承载面包括承载区和非承载区，其特征在于，所述承载区与非承载区之间的夹角为钝角。

14.根据权利要求13所述的托盘，其特征在于，其为中空的环形结构，并且其上的非承载区靠近所述托盘的内缘，承载区靠近所述托盘的外缘。

15.根据权利要求13所述的托盘，其特征在于，其为中空的环形结构，并且其上的承载区靠近所述托盘的内缘，非承载区靠近所述托盘的外缘。

16.根据权利要求13-15中任意一项所述的托盘，其特征在于，所述托盘的上表面和下表面均为基片承载面。

17.一种半导体处理设备，包括反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室内设置有权利要求1-12中任意一项所述的托盘装置。