[发明专利]半导体硅片的去胶工艺腔及去胶方法

权利要求书

1.一种半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述工艺腔内部的一端具有升降平台，所述工艺腔内部的另一端固定有一护罩，所述护罩和所述升降平台可构成封闭式结构，所述升降平台上方用于固定一硅片，所述护罩内具有等离子体发生装置，所述工艺腔内部还具有一活动盖板，所述活动盖板可置于所述升降平台的上方，所述活动盖板能够遮挡所述硅片，所述活动盖板上具有一个或多个进口。

2.根据权利要求1所述的半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述等离子体发生装置包括进气管路、真空管路、废气管路以及线圈，所述线圈围绕所述护罩内侧壁设置，所述进气管路、真空管路以及废气管路穿过所述护罩的侧壁设置。

3.根据权利要求1所述的半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述护罩为金属护罩。

4.根据权利要求1所述的半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，当所述活动盖板位于所述硅片上方时，所述活动盖板与硅片之间具有0.5毫米至3毫米的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述进口包括液体进口，所述液体进口连接有液体管路，通过所述液体进口的清洗液的压力为5至50磅/平方英寸。

6.根据权利要求5所述的半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述活动盖板还具有一个或多个气体进口，所述气体进口连接有气体管路。

7.根据权利要求1所述的半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述升降平台上设置有硅片支架用于固定所述硅片。

8.根据权利要求7所述的半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述硅片支架的内部分布有真空管路。

9.根据权利要求1至7中任一项的所述半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述升降平台的直径为10英寸至15英寸。

10.根据权利要求1至7中任一项的所述半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述活动盖板的材质为陶瓷，直径为10至15英寸，厚度为1至20毫米。

11.根据权利要求1至7中任一项的所述半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述活动盖板的边缘向下弯曲，形成导流护罩。

12.一种利用权利要求1所述的半导体硅片的去胶工艺腔的去胶方法，其特征在于，包括：

将硅片固定在工艺腔内的升降平台上；

上升所述升降平台使其与工艺腔内的护罩形成封闭式结构；

启动所述护罩内的等离子体发生装置，在所述封闭式结构内对所述硅片进行等离子体灰化工艺；

完成所述等离子体灰化工艺后，下降所述升降平台，将工艺腔内的活动盖板移动到所述升降平台的上方；

清洗液通过所述活动盖板上的进口流到所述硅片上，对所述硅片进行湿法清洗。

13.一种利用权利要求12所述的去胶方法，其特征在于，通过外部机械手臂将所述硅片放置在所述升降平台上，并通过升降平台上设置的硅片支架的真空管路将所述硅片固定在工艺腔内的所述升降平台上。

14.一种利用权利要求12所述的去胶方法，其特征在于，所述等离子体发生装置包括进气管路、真空管路、废气管路以及线圈，通过所述进气管路和所述真空管路将所述封闭式结构内的压力范围调节到10毫托-2000毫托，向所述封闭式结构内通入氧气，并向所述线圈输入频率至少为13.56兆赫兹的信号，激发氧等离子体对所述硅片进行氧等离子体灰化工艺。

15.一种利用权利要求12所述的去胶方法，其特征在于，所述活动盖板还具有一个或多个气体进口，所述气体进口连接有气体管路，将异丙醇蒸汽或氮气通过所述气体管路喷到所述硅片的表面。

16.一种利用权利要求12所述的去胶方法，其特征在于，下降所述升降平台，将工艺腔内的活动盖板移动到所述升降平台的上方，使所述活动盖板与所述硅片之间具有0.5毫米至3毫米的距离。