[发明专利]萧基晶体管装置的制作方法

权利要求书

1.一种萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于包括：

提供一基底，具有一第一导电型；

在所述基底上成长一外延层，其中所述外延层具有所述第一导电型；

在所述外延层上形成一图案化介电层；

在所述外延层的表面形成一金属硅化物层；

在所述金属硅化物层上形成一掺质来源层，其中所述掺质来源层具有所述第二导电型的掺质；

进行一热驱入工艺，使所述掺质来源层内所述第二导电型的掺质扩散进入所述外延层；及

在所述金属硅化物层上形成一导电层。

2.根据权利要求1项所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述外延层的所述表面包括至少一外延缺陷结构。

3.根据权利要求2所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述的外延缺陷结构包含接缝缺陷、空穴缺陷或晶格错位。

4.根据权利要求2所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于在进行所述热驱入工艺后，会在所述外延缺陷结构中形成第二导电型的掺杂区。

5.根据权利要求4所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述掺杂区的所述第二导电型掺质的浓度会介于1E14原子数/立方公分到1E19原子数/立方公分间。

6.根据权利要求1所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于在形成所述掺质来源层前，还包含：在所述金属硅化物层上形成一缓冲层。

7.根据权利要求6所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于在进行所述热驱入工艺后，还包含：去除所述掺质来源层和所述缓冲层。

8.根据权利要求7所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述的缓冲层包含氧化硅。

9.根据权利要求1所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述的第一导电型是N型，所述第二导电型是P型。

10.根据权利要求1所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述的金属硅化物层包括硅化钛、硅化镍、硅化铂、硅化钼或硅化钴。

11.根据权利要求1所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的掺质来源层包括外延硅、多晶硅、非晶硅或硼掺杂硅玻璃。

12.根据权利要求1所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述第二导电型的掺质包括硼原子。

13.根据权利要求1所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述的热驱入工艺包含快速热处理工艺、瞬间热退火、激光热退火或激光瞬间退火。

14.根据权利要求1所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述的导电层包含钛、镍、金、铝或其组合。

15.一种萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于包括：

提供一基底，具有一第一导电型；

在所述基底上成长一外延层，其中所述外延层具有所述第一导电型，所述外延层具有至少一外延缺陷结构；

在所述外延层上形成一金属硅化物层；

进行掺杂工艺，在所述外延缺陷结构形成一第二导电型的掺杂区，且所述掺杂区与所述外延层间具有PN接面；及

在所述金属硅化物层上形成导电层。

16.根据权利要求15所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述掺杂工艺包含：

在所述金属硅化物层上形成一掺质来源层，其中所述掺质来源层具有所述第二导电型的掺质；及

进行一热驱入工艺，使所述的第二导电型的掺质扩散进入所述外延层。

17.根据权利要求15所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述的掺杂工艺是气相扩散工艺或离子注入工艺。

18.根据权利要求15所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于在形成所述掺质来源层前，还包含：在所述的金属硅化物层上形成一缓冲层。

19.根据权利要求18所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于在进行所述热驱入工艺后，还包含：去除所述掺质来源层和所述缓冲层。

20.根据权利要求15所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述掺杂区具有第二导电型的掺质，其掺杂浓度介于1E14原子数/立方公分至1E19原子数/立方公分间。

21.根据权利要求15所述的萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于所述第一导电型是N型，所述第二导电型是P型。