[发明专利]高电流取出效率LED无效

专利信息
申请号: 201110458418.3 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103824922A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 魏臻 申请(专利权)人: 聚灿光电科技(苏州)有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 张利强
地址: 215123 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电流 取出 效率 led
【说明书】:

技术领域

发明涉及LED芯片制造领域。

背景技术

现有技术中LED的构造,是在p型GaN上沉积电流阻挡层,然后在电流阻挡层上沉积电流扩展层和电极,这种结构会造成从电极下方发出的光被电极吸收的情况,从而导致现有技术中的LED 的出光效率不高。

发明内容

本发明目的是增加电极下方的光反射能力,从而减少电极对光的吸收,提高出光效率。

为了达到以上以技术目的,本发明的技术方案为:一种高电流取出效率LED,包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。

优选地,所述的基底为P-GaN层。

优选地,在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜,如银,铜,铑等,然后制作成类似CBL的结构,然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上,该层SiO2的作用是CBL,接着再沉积ITO和金属电极。

由于采用上述技术方案,本发明利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内,从而通过其他途径出射到LED体外,提高了出光效率。

附图说明

附图1为根据本发明的高电流取出效率LED的结构示意图;

附图2为根据本发明的高电流取出效率LED的制造流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参见附图1所示,为根据本发明的高电流取出效率LED的结构示意图,它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。本实施例中的基底为P-GaN层,在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜,如银,铜,铑等,利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内,从而通过其他途径出射到LED体外,提高了出光效率。

参见附图2所示,为根据本发明的高电流取出效率LED的制造流程示意图。首先在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜,如银,铜,铑等制作成类似CBL——CBL=current blocking layer主要是为了让不能出光(或挡光)的地方(PN结)不发光,或叫提高电流有效注入的结构,然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上,该层SiO2的作用是CBL,接着再沉积ITO和金属电极。

以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内

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