[发明专利]一种电源转换装置及其在射频SIM卡中的应用在审
申请号: | 201110458420.0 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187872A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 潘文杰;周红星 | 申请(专利权)人: | 国民技术股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;G06K19/07 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源 转换 装置 及其 射频 sim 中的 应用 | ||
1.一种电源转换装置,包括:
开关电容转换电路,用于实现电压转换,使输出电压Vout为输入电压Vin的一半;
输出电压控制电路,接收开关电容转换电路的输出电压,并由第二PMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2和放大器实现,所述放大器的一个输入端接参考电压Vref,该电路用于通过反馈环路机制调节第二PMOS管的压降使输出电压Vout稳定在一定的电压值Vout=(R1+R2)/R1*Vref;
输入电流滤波电路,由所述第二PMOS管和输入电容实现,用来滤除输入电流纹波以供给所述开关电容转换电路;
输出电压滤波电路,用于接收所述开关电容转换电路的输出电压以滤除输出电压纹波。
2.根据权利要求1所述的一种电源转换装置,所述开关电容转换器电路由第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管和第一电容实现,其中在第一NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极相连,第一PMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连,第一电容的两端分别与第一NMOS管的源极与第一PMOS管的源极相连,第一PMOS管的漏极电压为输入电压Vin,第三NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连并作为输出电压Vout。
3.根据权利要求2所述的一种电源转换装置,在所述输出电压控制电路中,第二PMOS管的源极和漏极分别接外接电源VDD和第一PMOS管的漏极,第二PMOS管的栅极接所述放大器的输出端,第二电阻R2的一端接电压输出端,第二电阻R2的另一端接第一电阻R1以及所述放大器的另一个输入端,第一电阻R1的另一端接地。
4.根据权利要求1所述的一种电源转换装置,在所述输入电流滤波电路中,第二PMOS管的漏极与输入电容的一端相连,输入电容的另一端与电压输出端相连。
5.根据权利要求1所述的一种电源转换装置,在所述输入电流滤波电路中,第二PMOS管的漏极与输入电容的一端相连,输入电容的另一端接地。
6.根据权利要求1所述的一种电源转换装置,在所述输出电压滤波电路由输出电容实现,其中输出电容的两端分别与电压输出端和地相连。
7.如权利要求1-6之一所述的电源转换装置在射频识别SIM中的应用,其特征在于,将所述电源转换装置用于给所述射频识别SIM中的射频收发芯片供电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国民技术股份有限公司,未经国民技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110458420.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。