[发明专利]静电放电保护装置的检测电路及检测方法有效
申请号: | 201110459309.3 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103185845A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 甘正浩;冯军宏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 检测 电路 方法 | ||
1.一种静电放电保护装置的检测电路,其特征在于,包括:二极管、监测晶体管、静电放电保护装置,其中,
所述静电放电保护装置具有第一端和第二端,所述静电放电保护装置的第一端与二极管的正极相连接,所述静电放电保护装置的第二端与监测晶体管的源极相连接,所述二极管的负极与监测晶体管的栅极相连接,所述静电放电保护装置与二极管的正极的连接端为第一测试端,所述静电放电保护装置与监测晶体管的源极的连接端为第二测试端,所述二极管的负极与监测晶体管的栅极的连接端为第三测试端。
2.如权利要求1所述的静电放电保护装置的检测电路,其特征在于,所述监测晶体管的源极与漏极相连。
3.如权利要求1所述的静电放电保护装置的检测电路,其特征在于,所述监测晶体管的漏极为第四测试端。
4.如权利要求1所述的静电放电保护装置的检测电路,其特征在于,所述二极管为一个或多个。
5.一种利用如权利要求1所述的静电放电保护装置的检测电路的检测方法,其特征在于,包括:
在所述第一测试端输入测试电流,在所述第二测试端输出测试电流,所述测试电流的大小、持续时间与对应的静电放电的电流脉冲的大小、持续时间相一致;
在施加测试电路后,在所述第二测试端和第三测试端两端施加检测电压,检测所述监测晶体管的栅氧化层的漏电流,从而判断所述静电放电保护装置是否有效。
6.如权利要求5所述的检测方法,其特征在于,将所述测得的漏电流与正常情况下未损伤晶体管的栅氧化层的漏电流进行比较,判断出所述监测晶体管的栅氧化层是否被击穿或产生缺陷,从而判断出所述静电放电保护装置是否有效。
7.如权利要求5所述的检测方法,其特征在于,在对所述监测晶体管的栅氧化层测试完后,如果监测晶体管的栅氧化层没有损伤,继续施加测试电流,并对所述监测晶体管再次进行检测,直到所述监测晶体管栅氧化层被击穿或产生缺陷,从而检测出所述静电放电保护装置的最大保护次数。
8.一种利用如权利要求3所述的静电放电保护装置的检测电路的检测方法,其特征在于,包括:
在所述第一测试端输入测试电流,在所述第二测试端输出测试电流,所述测试电流的大小、持续时间与对应的静电放电的电流脉冲的大小、持续时间相一致;
施加测试电流后,在所述第二测试端和第三测试端施加栅极电压,在第四测试端和第二测试端施加源漏电压,检测监测晶体管的饱和漏极电流和阈值电压,从而判断所述静电放电保护装置是否有效。
9.如权利要求8所述的检测方法,其特征在于,通过将所述测得的饱和漏极电流、阈值电压与正常情况下未损伤晶体管的饱和漏极电流、阈值电压进行比较,判断出所述监测晶体管是否受到损伤。
10.如权利要求8所述的检测方法,其特征在于,在对所述监测晶体管的饱和漏极电流、阈值电压测试完后,如果监测晶体管没有损伤,继续施加测试电流,并对所述监测晶体管再次进行检测,直到所述监测晶体管测得的饱和漏极电流、阈值电压与正常情况下未损伤晶体管的饱和漏极电流、阈值电压不同,所述监测晶体管受到损伤,从而检测出所述静电放电保护装置的最大保护次数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110459309.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:CMP终点检测方法与相变存储器底部接触结构形成方法
- 下一篇:臭氧发生器