[发明专利]负偏压温度不稳定性的恢复电路和恢复方法有效
| 申请号： | 201110459390.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187964A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏压 温度 不稳定性 恢复 电路 方法 | ||
1.一种负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，
包括：待恢复晶体管和恢复单元，所述恢复单元与待恢复晶体管的栅极相连接，所述恢复单元包括：
开关晶体管，用于控制所述待恢复晶体管是否处于恢复状态；
第一电阻和第二电阻，用于调节施加在待恢复晶体管的栅极上的电压；
信号输入端，用于输入第一电压或第二电压；
信号输出端，所述恢复单元通过信号输出端与待恢复晶体管的栅极相连接，通过所述信号输出端控制所述待恢复晶体管是否处于恢复状态；
第一电压端，所述第一电压端用于提供电源电压；
其中，所述开关晶体管的栅极与信号输入端相连接，所述开关晶体管的漏极与第一电压端相连接，所述开关晶体管的源极与第二电阻的一端相连接，所述第二电阻的另一端与信号输出端相连接；
所述第一电阻的一端与信号输入端相连接，所述第一电阻的另一端与信号输出端相连接。
2.如权利要求1所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复晶体管为PMOS增强型晶体管。
3.如权利要求2所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述PMOS增强型晶体管的衬底和源极施加有工作电压。
4.如权利要求1所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述开关晶体管为NMOS耗尽型晶体管。
5.如权利要求4所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述NMOS耗尽型晶体管的衬底连接第二电压端，所述第二电压端用于提供工作电压。
6.如权利要求3或5所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述电源电压大于工作电压。
7.如权利要求1所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述第一电阻和/或第二电阻的电阻值可调。
8.如权利要求1所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复晶体管为电路中的其中一个晶体管或用于晶体管可靠性测试的测试晶体管。
9.一种利用如权利要求1所述的负偏压温度不稳定性的恢复电路的恢复方法，其特征在于，包括：
当所述待恢复晶体管处于正常工作状态时，将第一电压施加在所述信号输入端，使得所述开关晶体管的沟道区关闭，所述第一电压施加在待恢复晶体管的栅极上，使得所述待恢复晶体管正常工作；
当所述待恢复晶体管处于恢复状态时，将第二电压施加在所述信号输入端，使得所述开关晶体管的沟道区开启，使得施加在待恢复晶体管上的栅极电压大于所述第二电压，恢复待恢复晶体管的负偏压温度不稳定性。
10.如权利要求9所述的恢复电路，其特征在于，所述第一电压为0V。
11.如权利要求9所述的恢复电路，其特征在于，所述第二电压为1.2V。
12.如权利要求9所述的恢复电路，其特征在于，所述电源电压为2.5V。
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