[发明专利]光刻机及其扫描曝光方法

权利要求书

1.一种光刻机的扫描曝光方法，所述光刻机包括承载有待曝光硅片的硅片台、承载有掩模版的掩模台，所述硅片的待曝光区域被划分为两个或两个以上的曝光场，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

所述硅片台步进到一个曝光场，然后所述硅片台、所述掩模台沿相反方向作同步运动，开始对所述曝光场进行扫描曝光，

其中，对所述曝光场进行扫描曝光过程中，所述硅片台及掩模台的速度曲线为正弦曲线，且所述硅片台及掩模台的速度大小分别从零逐渐增加至最大值，然后减小至零，且所述硅片台与所述掩模台的速度之比等于掩模版图形与硅片上最终形成图形尺寸之比。

2.根据权利要求1所述的扫描曝光方法，其特征在于，对所述一个曝光场进行扫描曝光之后，所述硅片台步进到另一个曝光场，然后所述硅片台、所述掩模台沿相反方向作同步运动，开始对所述另一个曝光场进行所述扫描曝光。

3.根据权利要求1所述的扫描曝光方法，其特征在于，对曝光场进行所述扫描曝光过程中，曝光光源的光强大小与所述硅片台、掩模台的速度大小作同步变化。

4.根据权利要求1所述的扫描曝光方法，其特征在于，对曝光场进行所述扫描曝光过程中，被输入余弦信号的长程运动电机驱动所述硅片台、掩模台，使所述掩模台、硅片台的速度曲线为正弦曲线。

5.根据权利要求4所述的扫描曝光方法，其特征在于，对曝光场进行所述扫描曝光过程中，利用干涉计或标尺实时检测所述硅片台、掩模台的位置，以获得所述掩模台、硅片台的实际输出位移、速度，根据所述掩模台、硅片台的实际输出位移、速度，利用短程运动电机驱动所述硅片台、掩模台，以实时修正所述硅片台及掩模台的速度、位移。

6.根据权利要求1所述的扫描曝光方法，其特征在于，所述光刻机为浸没式光刻机。

7.一种光刻机，其特征在于，所述光刻机包括：

用于形成光束的光源；

光学系统；

用于承载掩模版的掩模台；

用于将光束投影到涂有光刻胶的硅片上的物镜系统，所述物镜系统包括一个以上的透镜；

用于承载硅片的硅片台；

用于产生余弦信号的信号发生器，所述信号发生器用于使所述掩模台、硅片台按照正弦速度曲线移动。

8.根据权利要求7所述的光刻机，其特征在于，所述光刻机还包括液体浸没控制装置，所述装置用于将液体填充在物镜系统的最后一个透镜与硅片之间。

9.根据权利要求7或8所述的光刻机，其特征在于，所述光刻机还包括与所述信号发生器连接的长程运动电机，所述长程运动电机分别与所述掩模台、硅片台连接并用于驱动所述掩模台、硅片台，使所述掩模台、硅片台的速度曲线为正弦曲线。

10.根据权利要求9所述的光刻机，其特征在于，所述光刻机还包括干涉计或标尺、短程运动电机，所述干涉计或标尺用于实时检测所述硅片台、掩模台的位置，所述短程运动电机与所述硅片台、掩模台连接并用于驱动所述掩模台、硅片台，以实时修正所述硅片台及掩模台的速度、位移。