[发明专利]一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法无效
| 申请号： | 201110459532.8 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103184524A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 叶俊;马超 | 申请（专利权）人： | 上海晶太光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;B08B3/08;C11D7/42;C23F1/32 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 马家骏 |
| 地址： | 201501 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 单晶硅 指纹 油污 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，它包括如下步骤：
(a)对硅片进行预处理；
(b)将硅片放入注入有制绒液的制绒槽中进行制绒；
在上述至少一个步骤中加入活性酶。
2.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，所述活性酶为脂肪酶、酯酶或角质酶中一种或几种的组合。
3.如权利要求2所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，所述活性酶的使用浓度为0.05‰wt-10‰wt。
4.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，在上述步骤(a)中，在双氧水碱清洗或粗抛中添加活性酶进行清洗。
5.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，在上述步骤(a)中，直接添加活性酶进行清洗。
6.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇、制绒添加剂和活性酶依次添加制成。
7.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇和制绒添加剂依次添加制成，制绒添加剂中添加有活性酶。
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