[发明专利]一种多晶硅生产中的三氯氢硅生产方法有效
| 申请号： | 201110459911.7 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102530960A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 马国栋;李强;王兵;杨光;裴艳红;刘团练;李峥;陈宁;赵文文;王志远;邓兆敬 | 申请（专利权）人： | 中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 宋洁瑾 |
| 地址： | 300400*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 中的 三氯氢硅 方法 | ||
1.一种多晶硅生产中的三氯氢硅生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)来自多晶硅生产系统的氢气、补充的新鲜氢气、工业硅粉与来自多晶硅生产中的较纯的四氯化硅进入反应器I，在反应温度为500-600℃，反应压力3.5-5.0MPa，气相流速为0.1-2m/s条件下进行反应，生成四氯化硅、三氯氢硅和少量的二氯氢硅以及氯化氢；
(2)步骤(1)产物经除尘、初步的减压分离之后，四氯化硅进入反应器I循环反应，三氯氢硅送去生产多晶硅，氯化氢送去与硅粉反应；
(3)工业硅粉、来自上一步反应分离得到的以及多晶硅生产中得到的氯化氢在反应器II中进行反应，反应温度为100-400℃，反应压力为0.1-0.5MPa，气相流速为0.05-1.8m/s，生成氯硅烷混合物；
(4)步骤(3)所得氯硅烷混合物经常规精馏方法分别得到四氯化硅、三氯氢硅、二氯氢硅；
(5)步骤(4)所得四氯化硅送去反应器I参加反应，三氯氢硅送去生产多晶硅。
2.根据权利要求1所述多晶硅生产中的三氯氢硅生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)来自多晶硅生产系统的氢气、补充的新鲜氢气、工业硅粉与来自多晶硅生产中的较纯的四氯化硅进入反应器I，在反应温度为530-550℃，反应压力3.8-4.2MPa，气相流速为0.2-0.5m/s条件下进行反应，生成四氯化硅、三氯氢硅和少量的二氯氢硅以及氯化氢；
(2)步骤(1)产物经除尘、初步的减压分离之后，四氯化硅进入反应器I循环反应，三氯氢硅送去生产多晶硅，氯化氢送去与硅粉反应；
(3)工业硅粉、来自上一步反应分离得到的以及多晶硅生产中得到的氯化氢在反应器II中进行反应，反应温度为280-320℃，反应压力为0.2-0.3MPa，气相流速为0.2-0.5m/s，生成氯硅烷混合物；
(4)步骤(3)所得氯硅烷混合物经常规精馏方法分别得到四氯化硅、三氯氢硅、二氯氢硅；
(5)步骤(4)所得四氯化硅送去反应器I参加反应，三氯氢硅送去生产多晶硅。
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