[发明专利]一种谐波抑制混频器和GSM射频芯片有效

专利信息
申请号: 201110459993.5 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102522952A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 梁振;王昭;郑卫国;刘宇陶 申请(专利权)人: 广州市广晟微电子有限公司
主分类号: H03D7/12 分类号: H03D7/12;H04B1/40
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明;王宝筠
地址: 510630 广东省广州市天*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 谐波 抑制 混频器 gsm 射频 芯片
【权利要求书】:

1.一种谐波抑制混频器,其特征在于,所述混频器包括四个结构相同的混频单元,分别为第一混频单元、第二混频单元、第三混频单元、第四混频单元;

所述混频单元包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、运算放大器、以及第一电阻和第二电阻;

其中,所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极耦合并接运算放大器的输出端;所述第一晶体管的源极经第一电阻接地,所述第二晶体管的源极经第二电阻接地;

所述运算放大器的同相输入端作为所述混频单元的基带信号输入端,反相输入端接第二晶体管的源极;

所述第三晶体管的源极和第四晶体管的源极耦合并接所述第一晶体管的漏极;所述第五晶体管的源极和第六晶体管的源极耦合并接所述第二晶体管的漏极;

所述第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极作为所述混频单元的第一差分本振信号输入端,所述第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极作为所述混频单元的第二差分本振信号出入端;

所述第三晶体管的漏极和第四晶体管的漏极耦合,作为所述混频单元的第一输出端;所述第五晶体管的漏极和第六晶体管的漏极耦合,作为所述混频单元的第二输出端;

所述混频器还包括:第三电阻和第四电阻;

所述第一混频单元的第一输出端、第二混频单元的第二输出端、第三混频单元的第一输出端、第四混频单元的第二输出端短接后通过所述第三电阻接电源;第一混频单元的第二输出端、第二混频单元的第一输出端、第三混频单元的第二输出端、第四混频单元的第一输出端短接后通过所述第四电阻接电源。

2.根据权利要求1所述的谐波抑制混频器,其特征在于,所述第一混频单元的基带信号输入端和第三混频单元的基带信号输入端接基带输入正信号;所述第二混频单元的基带信号输入端和第四混频单元的基带信号输入端接基带输入负信号。

3.根据权利要求2所述的谐波抑制混频器,其特征在于,每个所述混频单元的第一晶体管的宽长比和第二晶体管的宽长比的比值为

4.根据权利要求3所述的谐波抑制混频器,其特征在于,每个所述混频单元的第一电阻和第二电阻的阻值比为

5.根据权利要求4所述的谐波抑制混频器,其特征在于,所述第一混频单元的第一差分本振信号输入端和所述第二混频单元的第二差分本振信号输入端接第一本振信号;

所述第一混频单元的第二差分本振信号输入端和第二混频单元的第一差分本振信号输入端接第二本振信号;

所述第三混频单元的第一差分本振信号输入端和第四混频单元的第二差分本振信号输入端接第三本振信号;

所述第三混频单元的第二差分本振信号输入端和第四混频单元的第一差分本振信号输入端接第四本振信号。

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