[发明专利]一种选择性发射极电池的制作方法

权利要求书

1.一种选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1)去除硅片的损伤层，在硅片的表面制备绒面；

2)对所述损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂；

3)对所述经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散，得到正面正电极区以外区域的p-n结；

4)去除所述经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结；

5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；

6)在所述具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极，背电场和正电极，并进行烧结，使电极金属化，得到选择性发射极电池；

7)测试所述选择性发射极电池的各项参数，并按工艺标准将其分档。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，所述步骤2)中，对所述损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行均匀喷涂磷源及激光掺杂。

3.根据权利要求2所述的选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，通过激光能量，对所述硅片表面进行选择性深掺杂。

4.根据权利要求3所述的选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，深掺杂图案与所述选择性发射极电池的正电极图案一致，细栅宽度比正电极细栅宽度宽100-400um。

5.根据权利要求1所述的选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，所述步骤2)中喷涂磷源的磷源浓度为20％-60％wt，激光掺杂的单脉冲能量为0.6-1.8J/cm²，激光掺杂的方块电阻为30-60Ω/□。

6.根据权利要求1所述的选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，所述步骤3)中使用的链式扩散设备与前面步骤中的设备通过滚轮传送装置连接在一起。

7.根据权利要求1所述的选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，所述步骤3)中使用的链式扩散设备，开始几个温区用来做低温烘干区，中间几个温区的温度作为高温推进区，最后几个温区的温度作为缓慢降温区。

8.根据权利要求7所述的选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，所述步骤3)中链式扩散设备的温度曲线低温烘干区100-500℃，高温推进区700-1100℃，缓慢降温区500-150℃，传送带传输速度50-120mm/s，非激光掺杂区的方块电阻为80-120Ω/□。