[发明专利]形成太阳电池掺杂区的方法无效
| 申请号： | 201110460374.8 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187478A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王振交;韩培育;金光耀;陆红艳 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/00 |
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| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 太阳电池 掺杂 方法 | ||
1.一种形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)在一半导体基片的表面形成一钝化层；
(2)采用离子注入的方法，穿过所述钝化层在所述半导体基片上形成杂质源区；
(3)采用激光照射所述杂质源区使其活化以得到太阳电池掺杂区。
2.根据权利要求1所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述钝化层的厚度为10nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述激光的发生器为脉冲激光器或者连续波激光器；所述激光的波长范围为从紫外波段到红外波段；所述激光的功率为2W～10W；所述激光的速度为1mm/s～6000mm/s。
4.根据权利要求1所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述钝化层也为减反层。
5.根据权利要求1所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述钝化层为氮化硅钝化层、二氧化硅钝化层或者三氧化二铝钝化层。
6.一种形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)采用离子注入的方法，在一半导体基片上形成杂质源区；
(2)在所述半导体基片上具有所述杂质源区的那一侧表面形成一钝化层；
(3)采用激光照射所述杂质源区使其活化以得到太阳电池掺杂区。
7.根据权利要求6所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述钝化层的厚度为10nm～500nm。
8.根据权利要求6所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述激光的发生器为脉冲激光器或者连续波激光器；所述激光的波长范围为从紫外波段到红外波段；所述激光的功率为2W～10W；所述激光的速度为1mm/s～6000mm/s。
9.根据权利要求6所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述钝化层也为减反层。
10.根据权利要求6所述的形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：所述钝化层为氮化硅钝化层、二氧化硅钝化层或者三氧化二铝钝化层。
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