[发明专利]静电吸盘有效
申请号: | 201110460424.2 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102543816A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 南雅人;佐佐木芳彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,其在基板处理装置的处理室内的用于载置基板的基板载置台上形成基板载置面,其特征在于,
在上述基板载置面上形成有由与上述基板的背面的构成材料相同的材料形成的、用于与上述基板的背面抵接的覆膜层。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
在上述基板载置面上形成有浮雕状结构,该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成,
上述覆膜层形成于上述外周部。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘,其特征在于,
上述覆膜层还形成于上述岛部分。
4.根据权利要求2或3所述的静电吸盘,其特征在于,
上述浮雕状结构以下述方式形成,即:使上述基板载置面突出而形成突出部,并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。
5.根据权利要求2或3所述的静电吸盘,其特征在于,
上述浮雕状结构以下述方式形成,即:使上述基板载置面为平面,并在该平面上利用上述覆膜层形成突出部。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
上述覆膜层形成于上述基板载置面上的将供升降销升降的开口围绕的区域,该升降销是为了从该基板载置面举起上述基板而设置的。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
上述覆膜层形成于整个上述基板载置面。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电吸盘,其特征在于,
上述覆膜层由玻璃形成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的静电吸盘,其特征在于,
上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面,且上述上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
在上述基板载置面上形成有浮雕状结构,该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成,
上述覆膜层形成于上述岛部分,
上述外周部由耐等离子体性材料构成。
11.根据权利要求10所述的静电吸盘,其特征在于,
上述岛部分仅由上述覆膜层形成。
12.根据权利要求10所述的静电吸盘,其特征在于,
上述岛部分以下述方式形成,即:使上述基板载置面突出而形成突出部,并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的静电吸盘,其特征在于,
上述覆膜层由玻璃形成。
14.根据权利要求10至12中任一项所述的静电吸盘,其特征在于,
上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面,且上述上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造