[发明专利]控制电路、晶体管的控制系统和方法以及器件

权利要求书

1.一种控制电路，用于控制包括栅极和场板的晶体管，所述控制电路包括：

检测电路，用于检测用来驱动所述晶体管的驱动时序；

时序控制电路，用于响应于所述驱动时序控制用来驱动所述栅极的第一驱动时序以及控制用来驱动所述场板的第二驱动时序；以及

驱动电路，用于响应于所述第一驱动时序来驱动所述栅极，并响应于所述第二驱动时序来驱动所述场板。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，

所述检测电路用于检测使所述晶体管导通的导通时序来作为所述驱动时序；以及

所述时序控制电路用于响应于所述导通时序生成所述第一驱动时序和迟于所述第一驱动时序的所述第二驱动时序。

3.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，

所述检测电路还用于生成用来终止驱动所述晶体管的终止时序；

所述时序控制电路还用于响应于所述终止时序控制用来终止驱动所述栅极的第一终止时序以及控制用来终止驱动所述场板的第二终止时序；以及

所述驱动电路用于响应于所述第一终止时序终止驱动所述栅极，并响应于所述第二终止时序终止驱动所述场板。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其中，

所述检测电路用于生成使所述晶体管不导通的不导通时序作为所述终止时序；

所述时序控制电路用于响应于所述不导通时序生成所述第二终止时序以及迟于所述第二终止时序的所述第一终止时序。

5.根据权利要求1所述的控制电路，其中，

所述驱动电路用于通过高于所述栅极的驱动电压的电压驱动所述场板。

6.根据权利要求1所述的控制电路，其中，

所述晶体管包括高电子迁移率化合物半导体晶体管。

7.一种晶体管的控制系统，包括：

晶体管，包括栅极和场板；

检测电路，用于检测用来驱动所述晶体管的驱动时序；

时序控制电路，用于响应于所述驱动时序控制用来驱动所述栅极的第一驱动时序以及控制用来驱动所述场板的第二驱动时序；以及

驱动电路，用于响应于所述第一驱动时序驱动所述栅极，并响应于所述第二驱动时序驱动所述场板。

8.根据权利要求7所述的晶体管的控制系统，其中，

所述检测电路用于检测使所述晶体管导通的导通时序来作为所述驱动时序；以及

所述时序控制电路用于响应于所述导通时序生成所述第一驱动时序和迟于所述第一驱动时序的所述第二驱动时序。

9.根据权利要求7或8所述的晶体管的控制系统，其中，

所述检测电路还用于生成用来终止驱动所述晶体管的终止时序；

所述时序控制电路还用于响应于所述终止时序控制用来终止驱动所述栅极的第一终止时序以及控制用来终止驱动所述场板的第二终止时序；以及

所述驱动电路用于响应于所述第一终止时序终止驱动所述栅极，并响应于所述第二终止时序终止驱动所述场板。

10.根据权利要求9所述的晶体管的控制系统，其中，

所述检测电路用于生成使所述晶体管不导通的不导通时序作为所述终止时序；

所述时序控制电路用于响应于所述不导通时序生成所述第二终止时序和迟于所述第二终止时序的所述第一终止时序。

11.根据权利要求7所述的晶体管的控制系统，其中，

所述驱动电路用于通过高于所述栅极的驱动电压的电压驱动所述场板。

12.一种用于控制晶体管的方法，所述晶体管包括场板和栅极，所述方法，包括：

在不同的时序驱动所述场板和所述栅极。

13.根据权利要求12所述的用于控制晶体管的方法，还包括：

在开始驱动所述栅极之后开始驱动所述场板。

14.根据权利要求12或13所述的用于控制晶体管的方法，还包括：

在终止驱动所述场板之后终止驱动所述栅极。

15.根据权利要求12所述的用于控制晶体管的方法，还包括：

通过高于所述栅极的驱动电压的电压驱动所述场板。

16.一种器件，包括：

基于复合半导体的晶体管；

第一端子，耦合至所述基于复合半导体的晶体管的栅极；以及

第二端子，耦合至所述基于复合半导体的晶体管的场板，

其中所述第一端子和所述第二端子能够被从外部独立地驱动。