[发明专利]一种TFT阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明属于平板显示器制造技术领域，具体涉及一种TFT阵列基板的制造方法。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode：有机发光二极管)显示器。尤其是LCD平板显示器，由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、电脑、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等多个领域。

在成像过程中，LCD平板显示器中每一液晶像素点都由集成在TFT阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：简称TFT)来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示；有源矩阵驱动式OLED(Active Matrix Organic Light Emission Display，简称AMOLED)显示器中由TFT基板中的TFT驱动OLED面板中对应的OLED像素，再配合外围驱动电路，实现图像显示。在上述显示器中，TFT是控制发光的开关，是实现液晶显示器和OLED显示器大尺寸的关键，直接关系到高性能平板显示器的发展方向。

在现有平板显示器生产技术中，已实现产业化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT、单晶硅TFT等，用于制备平板显示器中阵列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，随着技术的发展，出现了金属氧化物TFT，金属氧化物TFT具有载流子迁移率高的优点，使得TFT可以做的很小，而使平板显示器的分辨率越高，显示效果越好；同时金属氧化物TFT还具有特性不均现象少、材料和工艺成本降低、工艺温度低、可利用涂布工艺、透明率高、带隙大等优点，备受业界关注。

目前，制作金属氧化物TFT一般采用六次光刻工艺制成，由于在刻蚀源漏金属电极时会腐蚀掉金属氧化物半导体层，因此一般需要在金属氧化物半导体层上面增加一次光刻工艺以形成刻蚀阻挡层，以便在刻蚀源漏金属电极的过程中保护金属氧化物半导体层，使金属氧化物半导体层不被源漏金属的刻蚀液腐蚀。一般来说，在制作金属氧化物TFT过程中，所用掩模板的数量越少，即光刻工艺的使用次数越少，则生产效率越高，成本越低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中采用六次光刻工艺来制作金属氧化物TFT的不足，提供一种能够减少光刻工艺次数的TFT阵列基板的制造方法，该制造方法能够简化制作工艺，提高生产效率，降低生产成本，且提高了良品率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该TFT阵列基板的制造方法，包括以下步骤：通过构图工艺在基板上分别形成包括栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、数据线、保护层以及接触过孔的图形，所述金属氧化物半导体层、源电极、漏电极通过一次构图工艺形成。

其中，所述金属氧化物半导体层的形成是在形成源电极和漏电极的构图工艺中，利用源电极、漏电极和刻蚀阻挡层对金属氧化物半导体膜的遮挡，将源电极、漏电极和刻蚀阻挡层的图形作为形成金属氧化物半导体层的掩模板，在形成源电极、漏电极的同一次构图工艺中同时形成金属氧化物半导体层。

其中，该制造方法具体包括如下步骤：

步骤S1)：通过一次构图工艺在基板上形成包括栅电极和栅极扫描线的图形；

步骤S2)：在完成步骤S1)的基板上形成栅极绝缘层，接着在栅极绝缘层上沉积金属氧化物半导体膜，通过一次构图工艺在金属氧化物半导体膜上形成刻蚀阻挡层；

步骤S3)：在完成步骤S2)的基板上沉积源漏金属膜，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线以及金属氧化物半导体层的图形，在此次构图工艺中，利用源电极、漏电极和刻蚀阻挡层作为形成金属氧化物半导体层的掩模板，在形成包括源电极、漏电极和数据线的图形的同时形成金属氧化物半导体层的图形；

步骤S4)：在完成步骤S3)的基板上形成保护层，通过一次构图工艺形成包括接触过孔的图形；

步骤S5)：在完成步骤S4)的基板上通过一次构图工艺形成透明像素电极。