[发明专利]制作透明传导氧化层和光伏器件的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；以及

在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对所述基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中所述透明层具有小于约2x10^-4Ohm-cm的电阻率。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述透明层的电阻率小于约1.8x10^-4 Ohm-cm。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述透明层的电阻率小于约1.5x10^-4 Ohm-cm。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化镉锡层中的镉对锡的原子比小于约2.5∶1。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化镉锡层中的镉对锡的原子比等于或小于约2∶1。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化镉锡层中的镉对锡的原子比等于或小于约1.8∶1。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化镉锡层中的镉对锡的原子比介于约1.7∶1到约2.1的范围内。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述透明层包括具有基本单相尖晶石晶体结构的氧化镉锡。

9.如权利要求1所述的方法，其中，热处理包括以处理温度、在真空条件下及在足以允许形成所述透明层的持续时间内加热所述非晶氧化镉锡层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，热处理包括以介于约500℃到约700℃范围内的处理温度加热所述基本非晶氧化镉锡层。

11.如权利要求1所述的方法，其中，热处理包括在介于约1分钟到约60分钟范围的持续时间内加热所述基本非晶氧化镉锡层。

12.如权利要求1所述的方法，其中，热处理在小于约500托的压力下进行。

13.如权利要求1所述的方法，其中，热处理在等于或小于约250托的压力下进行。

14.如权利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化镉锡层包括溅射、蒸发、化学气相沉积、旋涂或浸涂。

15.如权利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化镉锡层包括从具有镉对锡的原子比介于约1.5∶1到约2.5∶1的范围内的一个或多个靶进行溅射。

16.如权利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化镉锡层包括从具有镉对锡的原子比介于约1.5∶1到约2∶1的范围内的一个或多个靶进行溅射。

17.如权利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化镉锡层包括从包含氧化镉锡的单个靶进行溅射。

18.如权利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化镉锡层包括从包含镉和锡的单个靶进行反应溅射。

19.如权利要求1所述的方法，其中，所述透明层包括：

(a)包含氧化镉锡的第一区域；以及

(b)包含镉、锡和氧的第二区域，其中所述第二区域中镉的原子浓度低于所述第一区域中镉的原子浓度。

20.如权利要求1所述的方法，其中，所述透明层的厚度介于约100nm到约400nm的范围内。

21.如权利要求1所述的方法，其中，所述透明层的迁移率大于约45cm²/Vs。

22.如权利要求1所述的方法，其中，所述透明层的平均光透射大于约95％。

23.一种方法，包括：

通过从一个或多个靶进行反应溅射在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；以及

在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对所述基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中所述透明层具有小于约2x10^-4Ohm-cm的电阻率。

24.如权利要求23所述的方法，其中，所述一个或多个靶中的镉对锡的原子比小于约2.5∶1。

25.如权利要求23所述的方法，其中，所述一个或多个靶中的镉对锡的原子比等于或小于约2∶1。