[发明专利]一种APS芯片测试及筛选方法

权利要求书

1.一种APS芯片测试方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)获取测试用图像

将被测APS芯片置于均匀光照下，选取n个曝光时间，并按选取的曝光时间各采集m幅的明场图像；

将被测APS芯片置于暗室中，选取与明场图像相同的n个曝光时间，并按选取的曝光时间各采集m幅的暗场图像；

(2)计算测试参数

利用获取的共n＊m幅明场图像，计算每个曝光时间情况下明场图像的均值μ_y.light、时域噪声方差空域噪声方差

利用获取的共n＊m幅暗场图像，计算每个曝光时间情况下暗场图像的均值μ_y.dark、时域噪声方差空域噪声方差

(3)确定被测APS芯片的光电参数

计算系统增益K，所述系统增益K用于表示APS芯片将生成的光电荷数转换为相应灰度值的转换系数；

利用获得的系统增益K分别计算平均暗电流N_d，响应不一致性PRNU，暗电流不一致性DCNU，暗底不一致性DSNU。

2.如权利要求1所述的一种APS芯片测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中根据下式分别计算每个曝光时间情况下图像的均值μ_y、时域噪声方差空域噪声方差

μy=1NΣi,jyijA]]>

σy.temp2=121NΣi,j(yijA-yijB)2]]>

σy.spat2=1NΣi,j(yijaver-μyaver)2]]>

其中，N为单幅图像的像元总数，为图像A的第i行第j列像元灰度；为图像B的第i行第j列像元灰度，图像A和图像B为m幅图像中的任意两幅；为由m幅图像生成的平均灰度图像的第i行第j列像元灰度，为由m幅图像生成的平均灰度图像的灰度均值。