[发明专利]一种无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110460858.2 申请日: 2010-05-11
公开(公告)号: CN102952285A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 黎坛;黄宏存;胡连芹 申请(专利权)人: 海南赛诺实业有限公司
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;C08L23/12;C09D127/08;C09D7/12;C08F214/08;C08F2/24
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地址: 570125 海南省*** 国省代码: 海南;66
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摘要:
搜索关键词: 一种 无底胶聚偏二 氯乙烯 薄膜 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜,包括基材及基材表面的涂料层,其特征在于:所述涂料层是由聚偏二氯乙烯乳胶涂覆在基材表面并烘干后形成的涂层,所述的聚偏二氯乙烯乳胶由含有下述重量含量的原料配制成:由85-95%的偏二氯乙烯、0.5-10%的甲基丙烯酸甲酯、0.5-3.5%的丙烯酸甲酯、0.01-0.3%的催化剂和0.2-3.5%乳化剂反应形成的乳液30-95%,以及软化水0-50%,滑爽剂1-12%和防粘剂0.05-5%;所述基材是一种无底胶涂布的双向拉伸聚丙烯薄膜。

2.如权利要求1所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜,其特征在于:所述涂料层可以在基材的一个面,也可以在基材的两个面同时存在。

3.如权利要求1所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜,其特征在于:所述的聚偏二氯乙烯乳胶的固含量为:20-60%、滑爽剂的固含量为:10-30%、防粘剂的固含量为:5-20%。

4.如权利要求1所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜,其特征在于:所述的聚偏二氯乙烯涂层的厚度为:0.3-6.0μm。

5.如权利要求1所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜,其特征在于:所述的滑爽剂是棕榈蜡。

6.如权利要求1所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜,其特征在于:所述的防粘剂是二氧化硅。

7.如权利要求1所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜,其特征在于:所述无底胶涂布的双向拉伸聚丙烯薄膜的厚度为:8-200μm。

8.一种无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜的制造方法,其特征在于该方法包括如下过程:对基材薄膜进行电晕处理;用涂布设备将聚偏二氯乙烯均匀涂布到基材上,然后对涂布完成后的薄膜进行烘干,所述的聚偏二氯乙烯涂料由含有下述重量含量的原料配制成:由80-95%的偏二氯乙烯、0.5-10%的甲基丙烯酸甲酯、0.5-3.5%的丙烯酸甲酯、0.01-0.3%的催化剂和0.2-3.5%乳化剂反应形成的乳液30-95%,以及软化水0-50%,滑爽剂1-12%和防粘剂0.05-5%。

9.权利要求8所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜的制造方法,其特征在于:所述聚偏二氯乙烯涂料的涂布量为0.4-7.5g/m2

10.如权利要求8所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜的制造方法,其特征在于:涂布过程中的涂布速度为100-250m/min。

11.如权利要求8所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜的制造方法,其特征在于:对涂布后的薄膜的烘干过程采用热风烘干或远红外加热烘干,或者是同时采用远红外和热风烘干两种方式;所述的烘干温度优选90-140℃,烘干时间5-20秒。

12.如权利要求8所述的无底胶聚偏二氯乙烯涂布薄膜的制造方法,其特征在于:涂布方式采用逆转辊吻式涂布方式。 

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