[发明专利]具有参考特征的垂直非易失性存储装置

权利要求书

1.一种垂直非易失性存储装置，所述垂直非易失性存储装置包括：

基底，具有限定的单元阵列区；

虚设图案，在基底上靠近所述单元阵列区的边缘设置；

垂直堆叠的多条导线，位于基底上，覆盖虚设图案并在与虚设图案的交叉处具有表面变形，所述表面变形指示所述多条导线下面的虚设图案。

2.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储装置，其中，虚设图案包括沟槽。

3.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储装置，其中，基底还包括与单元阵列区相邻地设置的连接区和在连接区的与单元阵列区相对的一侧与连接区相邻地设置的外围电路区，其中，用于驱动单元阵列的电路设置在外围电路区中，其中，所述多条导线通过连接区中的布线连接到外围电路区的电路。

4.根据权利要求3所述的垂直非易失性存储装置，其中，所述多条导线在连接区具有阶梯结构。

5.根据权利要求4所述的垂直非易失性存储装置，所述垂直非易失性存储装置还包括连接区中的多个接触塞，所述多个接触塞中的各个接触塞接触所述多条导线中的对应的端部。

6.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储装置，其中，当虚设图案包括第一虚设图案时，所述垂直非易失性存储装置还包括在与外围电路区相邻的连接区中设置的至少一个第二虚设图案，所述至少一个第二虚设图案被构造为作为测量所述多条导线的端部的位置的参考点。

7.根据权利要求6所述的垂直非易失性存储装置，其中，所述至少一个第二虚设图案具有与形成在外围电路区中的结构相同的结构。

8.根据权利要求6所述的垂直非易失性存储装置，其中，第一虚设图案和第二虚设图案被电隔离。

9.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储装置，所述垂直非易失性存储装置还包括多个分开的存储单元串，多个存储单元串从基底垂直延伸并包括各自的分开的沟道区，所述沟道区从单元阵列区中的基底垂直延伸并由所述多条导线控制。

10.根据权利要求9所述的垂直非易失性存储装置，其中，所述多条导线用作存储单元串的栅极线。

11.一种垂直非易失性存储单元，所述垂直非易失性存储单元包括：

基底；

多条导线，垂直堆叠在基底上，沿一个方向延伸，并具有以向下的阶梯的方式形成的端部；

至少一个虚设图案，在所述端部附近形成在基底上并被电隔离。

12.一种垂直非易失性存储装置，所述垂直非易失性存储装置包括：

基底；

虚设结构，在基底的连接区的边界附近位于基底上或基底中；

垂直沟道区，在基底的单元阵列区中设置在基底上；

多条垂直堆叠的导电栅极线，在多条导电栅极线之间设置有绝缘层，所述多条导电栅极线和设置的绝缘层与垂直沟道区侧向相邻地设置并横跨虚设结构延伸，导电栅极线和绝缘层中的至少最上面的一个在虚设结构的交叉处具有表面变形，所述表面变形被构造为用作参考特征。

13.根据权利要求12所述的垂直非易失性存储装置，其中，虚设结构包括沟槽，并且表面变形包括在沟槽上方的凹进。

14.根据权利要求12所述的垂直非易失性存储装置，其中，导电栅极线的端部被阶梯化。

15.根据权利要求14所述的垂直非易失性存储装置，所述垂直非易失性存储装置还包括靠近连接区的与单元阵列区相对的边缘设置的第二虚设结构。

16.根据权利要求15所述的垂直非易失性存储装置，其中，第二虚设结构包括虚设沟槽、虚设电阻器或虚设栅极结构。