[发明专利]具有高热电优值的纳米复合物无效

专利信息
申请号: 201110461268.1 申请日: 2005-10-31
公开(公告)号: CN102522489A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: G·陈;Z·任;M·德雷塞尔豪斯 申请(专利权)人: 麻省理工学院;波士顿大学信托人
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/22
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 韦欣华;林毅斌
地址: 美国麻*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 热电 纳米 复合物
【权利要求书】:

1.一种合成热电纳米复合物半导体组合物的方法,包括

产生包含两组纳米半导体结构的粉末混合物,

将压缩压力施加于所述混合物同时加热该混合物至选定的温度持续一段选择的时间,以使得所述纳米结构组被压缩入纳米复合物材料中。

2.权利要求1的方法,进一步地包括将所述压缩压力选择为约10至约1000MPa。

3.权利要求1的方法,进一步地包括:

使电流密度流过所述压缩混合物以便加热该混合物并且任选地将所述电流选择为约1000至约2000A/cm2,其中将所述电流、所述压缩压力以及所述持续时间选择为能基本上抑制由形成所述纳米结构的材料所组成的均质合金的形成并且同时促进纳米复合物材料的形成,和

其中所述施加压缩压力的步骤产生了具有分布于由所述主体半导体材料形成的主体矩阵中的所述夹杂物纳米颗粒的纳米复合物组合物。

4.一种合成热电纳米复合物半导体组合物的方法,包括

产生包含两组或更多组纳米半导体结构的粉末混合物,

将压缩压力施加于所述混合物同时使电流流过所述混合物以便加热该混合物至选定的温度持续一段选择的时间,以使得所述纳米结构组被压缩成具有带有纳米夹杂物的矩阵的热电纳米复合物半导体组合物。

5.权利要求4的方法,其中将所述电流、所述压缩压力以及所述持续时间选择为能基本上抑制由形成所述纳米结构的材料所组成的均质合金的形成并且同时促进纳米复合物材料的形成。

6.权利要求4的方法,其中所述纳米结构是半导体纳米颗粒,并且一组纳米颗粒与另一组纳米颗粒具有不同的组成。

7.权利要求4的方法,其中一组纳米结构是纳米线。

8.一种产生热电纳米复合物半导体组合物的方法,包括

产生包含至少两组纳米颗粒,其中至少一组纳米颗粒由主体半导体材料形成并且至少另一组纳米颗粒由夹杂物半导体材料形成,

将压缩压力施加于所述混合物同时用电流加热该混合物至选定的温度,以使得所述混合物被压缩成具有分布于由所述主体半导体材料形成的主体矩阵中的所述夹杂物纳米颗粒的热电纳米复合物半导体组合物,其中所述纳米复合物中的所述杂物颗粒是纳米尺寸的。

9.权利要求8的方法,其中所述压缩压力为约10至约1000MPa。

10.权利要求9的方法,其中所述主体半导体材料不同于所述夹杂物半导体材料。

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