[发明专利]有机电致发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机电致发光显示装置，包括：

基板，具有像素区域以及晶体管区域；

透明电极，分别形成于所述基板的所述像素区域以及所述晶体管区域上；

栅电极，形成于所述透明电极的上部；

栅绝缘膜，形成于所述栅电极的上部；

半导体层，形成于所述栅绝缘膜的上部；

源/漏电极，一端与所述半导体层连接，另一端与所述像素区域的透明电极连接；

像素限定膜，覆盖所述源/漏电极的上部，形成有开口部以使所述透明电极向外部露出从而限定所述像素区域；

光阻断层，形成于所述像素限定膜的上部；以及

有机发光层，在所述开口部形成于所述透明电极的上部。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

相比所述像素限定膜，所述光阻断层的端部向远离所述开口部的中心的方向缩进。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述有机发光层与光阻断层之间相互间隔，从而互不接触。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述像素限定膜由光敏聚酰亚胺类、丙烯酰基类、硅氧烷类以及酚醛清漆类中的一种以上物质形成。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光阻断层由介电率在3.0以下的物质形成。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光阻断层由有色物质形成。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置，其中，

基于孟赛尔表色系，所述光阻断层的明度在3以下。

8.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光阻断层由黑色物质形成。

9.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光阻断层阻断波长为350nm至450nm的光。

10.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述半导体层是由氧化物组成的氧化物半导体层。

11.一种有机电致发光显示装置，包括：

基板，具有像素区域以及晶体管区域；

透明电极，分别形成于所述基板的所述像素区域以及所述晶体管区域上；

栅电极，形成于所述透明电极的上部；

栅绝缘膜，形成于所述栅电极的上部；

半导体层，形成于所述栅绝缘膜的上部；

源/漏电极，一端与所述半导体层连接，另一端与所述像素区域的透明电极连接；

第一像素限定膜，覆盖所述源/漏电极的上部，形成有开口部以使所述透明电极向外部露出从而限定所述像素区域；

光阻断层，形成于所述第一像素限定膜的上部；

第二像素限定膜，形成于所述第一像素限定膜以及所述光阻断层的上部；以及

有机发光层，在所述开口部形成于所述透明电极的上部；

其中，相比所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜，所述光阻断层的端部向远离所述开口部的中心的方向缩进。

12.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由光敏聚酰亚胺类、丙烯酰基类、硅氧烷类以及酚醛清漆类中的一种以上物质形成。

13.根据权利要求12所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由相同的物质形成。

14.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光阻断层由介电率在3.0以下的物质形成。

15.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，

基于孟赛尔表色系，所述光阻断层的明度在3以下。

16.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光阻断层由黑色物质形成。

17.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光阻断层阻断波长为350nm至450nm的光。