[发明专利]一种可控电抗器用可控硅箱

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁阀式可控电抗器，尤其涉及一种可控电抗器用可控硅箱。

背景技术

磁阀式可控电抗器，采用了小截面铁心和极限磁饱和技术。电抗器中间两工作铁心分别有小截面段，在整个工作过程中，大截面铁心段始终不饱和，仅小截面段饱和，且饱和的程度很高，工作磁密达2.5T以上(对于冷轧硅钢片一般磁饱和密度为1.8T左右)。铁心磁化曲线中间部分为未饱和线性区，左、右两边为极限饱和线性区。若使电抗器工作在极限饱和线性区，不仅可以减小谐波含量，同时亦能降低铁心磁滞损耗。电抗器利用磁饱和工作原理。可控电抗器由两组变压器串联形成，副方控制绕组串接方式与原方相反，以相互抵消一次侧工频电压的影响。改变直流电压及相应的回路控制电流大小，以调节铁心磁饱和程度，达到改变电抗器输出电流的目的。由于可控硅接于控制绕组抽头之间，其上电压很小，仅为系统额定电压的0.5％左右，保证了运行可靠性。当可控电抗器主绕组接至电源电压时，在可控硅、两端感应出1％左右电源电压的电压。电源电压正半周触发导通可控硅，形成等效电路，在回路中产生控制电流；电源电压负半周期间触发导通可控硅，形成等效电路，在回路中产生控制电流，一个工频周期轮流导通和，产生的直流控制电流和，使电抗器工作铁心饱和，输出电流增加。可控电抗器输出电流大小取决于可控硅控制角，越小，产生的控制电流越强，从而电抗器工作铁心磁饱和度越高，输出电流越大。因此，改变可控硅控制角，可平滑调节电抗器容量。因可控电抗器一般都是油浸式，而且容量比较大，可控硅操作起来不方便，新型的可控硅箱解决了上述问题。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明所称要解决的技术问题是，提供一种结构简单、保证系统安全性能、增加散热面积、降低升温、便于可控硅的检查和维护、有效保护可控硅并且提高系统反应时间的可控电抗器用可控硅箱。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种可控电抗器用可控硅箱，包括与可控电抗器主绕组抽头连接的可控硅电路，所述主绕组设于油箱内，可控硅电路设于主绕组油箱外部的可控硅箱内，所述可控硅电路通过电缆与油箱内的主绕组电连接，所述油箱及可控硅箱均浸于整体油箱内，在所述可控硅电路的回路上串联有保护可控硅、防止过载的的快熔元件。

上述的可控电抗器用可控硅箱，所述可控硅电路上设有与可控硅并联的彼此串接的电容和电阻。

上述的可控电抗器用可控硅箱，所述可控硅电路、线圈及铁芯固定在环氧玻璃布板上。

上述的可控电抗器用可控硅箱，所述整体油箱为波纹式油箱。

本发明可控电抗器用可控硅箱的优点是：把可控硅从可控电抗器当中单独出来，方便了可控硅的检查和维护；在可控硅上串联了快熔，既保护了可控硅，又可以通过快熔来确定一些技术故障；在可控硅上并联了电容和电阻，提高了系统的反应时间，完善了系统电路；整个控制电路固定在环氧玻璃布板上，提高了产品的绝缘性能；系统整体放在波纹式邮箱里边，可以更好的散热；整个产品放到波纹式油箱的里边，充满变压器油，既保证了绝缘，又增加了散热面积，降低了温升。

附图说明

图1为本发明的电路结构图。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细说明；

如图1所示，一种可控电抗器用可控硅箱，包括与可控电抗器主绕组抽头连接的可控硅电路1，主绕组设于油箱内，可控硅电路1设于主绕组油箱外部的可控硅箱内，可控硅电路1通过电缆与油箱内的主绕组电连接，油箱及可控硅箱均浸于整体油箱内，在可控硅电路1的回路上串联有保护可控硅2、防止过载的的快熔元件3；可控硅电路1上设有与可控硅2并联的彼此串接的电容4和电阻5；可控硅电路1、线圈及铁芯固定在环氧玻璃布板上，既提高了稳定性，又保证了绝缘；整体油箱为波纹式油箱；在可控硅2上并联了二极管6，其中，二极管6和电容4根据实际需要可以选择不同的容量，满足不同容量电抗器的需要；同时，在每一可控硅2的回路上并联的快熔元件3，通过快熔元件3来保护可控硅2，其中A、B、C为三条并联的与电抗器主绕组连接的可控硅电路1。

当然，上述说明并非是对本发明的限制，本发明也并不限于上述举例，本技术领域的普通技术人员，在本发明的实质范围内，作出的变化、改型、添加或替换，都应属于本发明的保护范围。