[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池单元，包括：

p型半导体基板；

在所述半导体基板的受光面侧形成的n型扩散层；以及

在所述n型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，

在所述n型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，

所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，

所述受光面栅电极形成于所述高浓度扩散区域，

邻接的所述高浓度扩散区域的中心间距离为1.5～3.0mm。

2.一种太阳能电池单元，包括：

n型半导体基板；

在所述半导体基板的受光面侧形成的p型扩散层；以及

在所述p型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，

在所述p型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，

所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，

所述受光面栅电极形成于所述高浓度扩散区域，

邻接的所述高浓度扩散区域的中心间距离为1.5～3.0mm。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其中，

所述高浓度扩散区域的俯视时的中心部的宽度A构成为比两端部的宽度B更窄，所述中心部的宽度A和所述两端部的宽度B的长度的差为0.5mm以内。

4.如权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其中，

所述高浓度扩散区域的表面电阻为25～55Ω/□。

5.如权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其中，

所述低浓度扩散区域的表面电阻为60～150Ω/□。

6.如权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其中，

所述半导体基板是单晶硅或多晶硅，其比电阻为0.3～50Ω·cm。

7.一种太阳能电池单元的制造方法，具备：

以在半导体基板上的绝缘膜涂敷的抗蚀膜作为掩模将所述绝缘膜蚀刻成既定的图案的工序；

以形成为既定的图案的所述绝缘膜作为掩模使所述半导体基板的露出部分成为高浓度扩散区域的工序；

除去形成为既定的图案的所述绝缘膜使所述半导体基板的剩余的部分成为低浓度扩散区域的工序；以及

在所述高浓度扩散区域之上通过丝网印刷来形成由导电膏构成的电极的工序，

所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽。

8.一种太阳能电池单元的制造方法，具备：

在半导体基板的受光面整面形成低浓度扩散区域的工序；

通过在应该设为高浓度扩散区域的部分保留磷酸盐玻璃并进行追加的热处理来形成高浓度扩散区域的工序；以及

在所述高浓度扩散区域之上通过丝网印刷来形成由导电膏构成的电极的工序，

所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽。

9.一种太阳能电池单元的制造方法，具备：

在半导体基板的受光面整面形成高浓度扩散区域的工序；

在应该设为高浓度扩散区域的部分作为掩模而形成抗蚀膜，通过对露出的部分进行蚀刻从而形成低浓度扩散区域的工序；以及

在所述高浓度扩散区域之上通过丝网印刷来形成由导电膏构成的电极的工序，

所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽。

10.一种太阳能电池单元的制造方法，具备：

在半导体基板形成绝缘膜的工序；

以形成于绝缘膜上的抗蚀膜作为掩模将绝缘膜蚀刻成既定的图案的工序；

除去抗蚀膜并使半导体基板的露出部分成为高浓度扩散区域同时作为扩散源的扩散元素贯通绝缘膜而形成低浓度扩散区域的工序；以及

在所述高浓度扩散区域之上通过丝网印刷来形成由导电膏构成的电极的工序，

所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽。

11.如权利要求7～10中的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，

所述高浓度扩散区域的表面电阻为25～55Ω/□。