[发明专利]应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架

权利要求书

1.一种利用铝合金引线框架制备功率半导体元器件的方法，其中，所述引线框架包含多个芯片安装单元以及包含多个设置在芯片安装单元周围的引脚，其特征在于，包括以下步骤：

在所述引线框架的表面依次电镀第一、第二、第三金属电镀层；

在芯片安装单元所包含的芯片粘贴区的顶面粘贴芯片，并利用多条键合引线将设置在芯片正面的多个电极分别电性连接在不同引脚所包含的引脚焊区上；

进行塑封工艺，形成包覆在芯片粘贴区顶面的并同时还将芯片、键合引线以及引脚焊区包覆的塑封体；

在所述引脚所包含的延伸至塑封体之外的外部引脚上进一步电镀第四金属电镀层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属电镀层、第二金属电镀层和所述第三金属电镀层皆不包含贵重金属电镀层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属电镀层为锌电镀层，所述第二金属电镀层为镍电镀层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三金属电镀层为铜电镀层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第四金属电镀层为锡电镀层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝合金引线框架中硅含量为0.2％～0.6％，铁含量为0.3％～0.8％，铜含量为0.1％～0.3％，锰含量为0.1％～1％，镁含量为0.5％～5％，铬含量为0.1％～0.5％，锌含量为0.1％～0.4％，钛含量为0.05％～0.3％。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一、第二金属电镀层和第三金属电镀层的总厚度为0.5um～15um。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第四金属电镀层的厚度为5um～15um。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架的总厚度为T，对引线框架进行冲切所产生的冲切角的冲切圆角半径限制在0.5T～2T。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架的总厚度为T，对引线框架进行弯折所产生的弯折角的弯折圆角半径限制在0.5T～3T。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在外部引脚上电镀形成第四金属电镀层的同时，还在所述芯片粘贴区的底面电镀有第四金属电镀层；并且

电镀在芯片粘贴区底面的第四金属电镀层覆盖在依次电镀于芯片粘贴区底面的第一金属电镀层、第二金属电镀层和第三金属电镀层上，以及电镀于芯片粘贴区底面的第四金属电镀层外露于所述塑封体之外。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将引脚、芯片安装单元从引线框架上切割分离以及将连接在引脚上的连筋切除之后，在引脚上或芯片安装单元上所形成的切割面均暴露在第一、第二、第三和第四金属电镀层之外。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，位于所述芯片背面的电极通过导电材料粘合在电镀于芯片粘贴区顶面的第三金属电镀层上，并且电镀在芯片粘贴区顶面的第三金属电镀层覆盖在依次电镀于芯片粘贴区顶面的第一、第二金属电镀层上。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引脚所在的平面的位置高于所述芯片粘贴区所在的平面的位置，并且完成第四金属电镀层的电镀之后，所述外部引脚进一步被弯折成型至与所述芯片粘贴区位于同一平面。

15.一种利用铝合金引线框架制备的功率半导体元器件，其特征在于，包括：

包含芯片安装单元以及包含多个设置在芯片安装单元周围的引脚的铝合金引线框架，所述铝合金引线框架的表面依次电镀第一、第二、第三金属电镀层，其中，所述第一金属电镀层、所述第二金属电镀层和所述第三金属电镀层皆不包含贵重金属电镀层；

安装在芯片安装单元的芯片粘贴区的顶面上的芯片；

多条键合引线将设置在芯片正面的多个电极分别电性连接在不同引脚所包含的引脚焊区上；

包覆在芯片粘贴区顶面的并同时还将芯片、键合引线以及引脚焊区包覆的塑封体；以及

电镀在所述引脚所包含的延伸至塑封体之外的外部引脚上的第四金属电镀层。

16.如权利要求15所述的功率半导体元器件，其特征在于，第四金属电镀层不包含贵重金属电镀层。