[发明专利]一种波导光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种波导光探测器的制备方法，依次包括以下步骤：

在SOI衬底上形成波导；

在所述波导和SOI衬底上沉积第一层氧化层；

生成一个穿过所述第一层氧化层并通到所述SOI衬底的体硅层的籽晶窗口；

在所述籽晶窗口内和覆盖波导的第一层氧化层上方沉积光探测器材料；

在光探测器材料和覆盖波导和SOI衬底的第一层氧化层上方沉积第二层氧化层；

加热整块材料使光探测器材料融化；

冷却光探测器材料使其开始结晶化；

在所述波导上方沉积多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光探测器材料为锗材料。

3.权利要求1所述的制备方法，其特征在于，用光探测器材料包覆所述波导。

4.权利要求1所述的方法中，其特征在于，在所述波导上覆盖平板式的光探测器材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述籽晶窗口在波导光探测器末端生成，从而不影响波导光探测器的运作。

6.一种波导光探测器，其特征在于，包括，

沿着SOI衬底延伸出第一段硅通道波导；

沿着SOI衬底延伸出第二段硅通道波导；

其中，所述第二段硅通道波导包括第一部分，第二部分，上部区域，第一侧部区域和第二侧部区域，

其中，第一段硅通道波导和第二段硅通道波导被一个间隙隔离；

一层波导薄膜沉积在所述第一段硅通道波导的一部分、第二硅通道波导的第一部分和间隙的上方；

光探测器材料沉积在所述第二段硅通道波导的第二部分的上部区域、第一侧部区域和第二侧部区域上，所述光探测器材料包覆原来的硅波导，从而形成脊波导结构；

一层绝缘薄膜沉积在所述第二段硅通道波导的第二部分和光探测器材料之间；

所述第二段硅通道波导的硅材料和SOI衬底的其他硅材料完全不连通。

7.根据权利要求6所述的波导光探测器，其特征在于，所述第二段硅通道波导还包括第三部分，其上方既没有覆盖所述波导薄膜也没有覆盖所述光探测器材料。

8.根据权利要求7所述的波导光探测器，其特征在于，从所述第一段硅通道波导输入的光信号沿着所述波导薄膜进入所述第二段硅通道波导的第一部分，然后进入把光信号转换成电信号的第二段硅通道波导的第二部分。

9.根据权利要求6所述的波导光探测器，其特征在于，所述第一段硅通道波导包括第一端和第二端，它们各自有其对应的宽度，并且第一段硅通道波导的第一端处的宽度大于其第二端处的宽度。

10.根据权利要求9所述的波导光探测器，其特征在于，所述第二段硅通道波导包括第一端和第二端，它们各自有其对应的宽度，并且第二段硅通道波导在第二端处的宽度大于其第一端处的宽度。

11.根据权利要求10所述的波导光探测器，其特征在于，

所述波导薄膜包括第一端、覆盖所述间隙的中间区域和第二端，它们各自有其对应的宽度；

其中，所述波导薄膜的中间区域的宽度是最大的；

其中，从第一端到中间区域，所述波导薄膜的宽度是逐渐增加的；

其中，从中间区域到第二端，所述波导薄膜的宽度是逐渐减小的。

12.一种波导光探测器，其特征在于，包括

沿着衬底延伸出第一段硅通道波导；

沿着衬底延伸出第二段硅通道波导，

其中，所述第二段硅通道波导包括第一部分，第二部分，上部区域，第一侧部区域和第二侧部区域，

其中，所述第一段硅通道波导和第二段硅通道波导被一个间隙隔离；

一层波导薄膜沉积在所述第一段硅通道波导的一部分、第二段硅通道波导的第一部分和间隙的上方；

光探测器材料沉积在所述第二段硅通道波导第二部分的上部区域的上方，并且没有贴近其第一侧部区域和第二侧部区域，其中，所述光探测器材料形成一个加载到所述第二段硅通道波导上的平板结构；

一层绝缘薄膜沉积在所述第二段硅通道波导的第二部分和光探测器材料之间；

所述第二段硅通道波导的硅材料和SOI衬底的其他硅材料之间完全不连通。