[发明专利]底栅薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种底栅薄膜晶体管的制造方法，包括：

1)、在衬底上形成栅极，并在栅极上形成V字型凹槽或V字型凸起；

2)、在该V字型凹槽或V字型凸起上沉积栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上沉积多晶硅薄膜；

3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，还包括步骤4)：沉积氧化物层间绝缘体，然后在层间绝缘体中形成接触孔。

3.根据权利要求2所述的制造方法，还包括步骤5)：在接触孔中形成接触电极。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，离子注入方向与衬底之间的角度小于等于V字型的一个侧面与衬底之间的角度。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，V字型凹槽或V字型凸起的一个侧面上的多晶硅薄膜被掺杂，而另一个侧面上的多晶硅薄膜未被掺杂。

6.一种底栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在栅极上，该栅极具有V字型凹槽或V字型凸起，且栅极表面覆盖有栅极绝缘层，其中部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，还包括氧化物层间绝缘体，层间绝缘体中具有接触孔。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，接触孔中具有接触电极。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，多晶硅薄膜通过离子注入被掺杂，离子注入方向与衬底之间的角度小于等于V字型的一个侧面与衬底之间的角度。

10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，V字型凹槽或V字型凸起的一个侧面上的多晶硅薄膜被掺杂，而另一个侧面上的多晶硅薄膜未被掺杂。