[发明专利]边缘场切换液晶显示装置的制造方法有效
申请号: | 201110461941.1 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102819156B | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 赵容秀;崔荣锡;金东熙;文教浩;金哲泰;崔圭善 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 切换 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种边缘场切换-液晶显示装置的制造方法,包括:
在第一基板上形成栅极电极和栅极线;
在形成了栅极电极和栅极线的第一基板上形成栅极绝缘膜、非晶硅薄膜、 n+非晶硅薄膜和第二导电膜;
在所述第二导电膜上形成第一到第三光敏膜图案;
通过使用所述第一到第三光敏膜图案作为掩模选择性地去除所述第二导 电膜来形成由所述第二导电膜形成的导电膜图案;
通过使用所述第一到第三光敏膜图案作为掩模选择性地去除所述非晶硅 薄膜和所述n+非晶硅薄膜来形成分别由所述非晶硅薄膜和所述n+非晶硅薄膜 形成的有源层、n+非晶硅薄膜图案;
通过灰化工序去除所述第三光敏膜图案并且形成具有去除了所述第三光 敏膜图案的厚度的厚度的第四和第五光敏膜图案;
通过使用所述第四和第五光敏膜图案作为掩模选择性去除导电膜图案,来 在所述n+非晶硅薄膜图案上形成由所述第二导电膜形成的源极电极和漏极电 极并且形成数据线;
去除所述第四和第五光敏膜图案;
在所述第一基板的整个表面上形成第三导电膜和在所述第三导电膜上形 成光敏膜图案;
通过使用所述光敏膜图案作为掩模选择性去除所述第三导电膜,来形成电 连接到漏极电极的像素电极;
通过使用所述光敏膜图案作为掩模选择性去除所述n+非晶硅薄膜来在所 述有源层与所述源极电极和所述漏极电极之间形成欧姆接触层;
在形成了所述像素电极和所述欧姆接触层的所述第一基板上形成钝化膜;
在像素部分的上方形成公共电极,所述公共电极成单个图案形成,并且用 于与像素电极一起在每一个像素区域中产生具有多个缝隙的边缘场;以及
将所述第一基板粘结到第二基板。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第二导电膜具有至少两层的多层 结构,所述至少两层具有包括铜或铜合金的低电阻不透明导电材料。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述第三导电膜由包括氧化铟锡或氧 化铟锌的高透射率透明导电材料形成。
4.如权利要求1所述的方法,其中通过湿式剥离工序去除所述第四和第 五光敏膜图案。
5.如权利要求1所述的方法,还包括通过湿式剥离工序去除光敏膜图案。
6.如权利要求5所述的方法,其中在通过所述湿式剥离工序去除所述光 敏膜图案后,在有源层与源极和漏极电极之间形成所述欧姆接触层。
7.如权利要求5所述的方法,其中通过使用所述光敏膜图案作为掩模来 在有源层与源极和漏极电极之间形成所述欧姆接触层。
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