[发明专利]用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法有效
| 申请号： | 201110462085.1 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102556939A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | R·D·霍尔宁;R·苏皮诺 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;朱海煜 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 三层 芯片级 mems 器件 系统 方法 | ||
1.一种微机电系统(MEMS)器件，所述器件包括：
第一外部层(102)；
第一器件层(108)，所述第一器件层(108)包括第一组MEMS器件(122、123)，其中所述第一器件层(108)接合到所述第一外部层(102)；
第二外部层(106)；
第二器件层(110)，所述第二器件层(110)包括第二组MEMS器件(120、121)，其中所述第二器件层(110)接合到所述第二外部层(106)；以及
中央层(104)，所述中央层(104)具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第一侧接合到所述第一器件层(108)以及所述第二侧接合到第二器件层(110)。
2.权利要求1的MEMS器件，其中：
所述第一组MEMS器件(122、123)包括第一组加速计和第一组陀螺仪；以及
所述第二组MEMS器件(120、121)包括第二组加速计和第二组陀螺仪，
其中所述第一组陀螺仪和所述第二组陀螺仪密封地封闭在第一气氛类型中且所述第一组加速计和所述第二组加速计密封地封闭在第二气氛类型中。
3.一种用于形成MEMS器件的方法，所述方法包括：
将第一器件层(108)接合到第一外部层(102)，所述第一器件层(108)包括第一组MEMS器件(122、123)；
将第二器件层(110)接合到第二外部层(106)，所述第二器件层(110)包括第二组MEMS器件(120、121)；以及
将中央层(104)接合到所述第一器件层(108)和所述第二器件层(110)。
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