[发明专利]热喷涂粉末、形成热喷涂涂层的方法以及抗等离子体构件有效
申请号: | 201110462982.2 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN102965610A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 伊部博之;青木功;北村顺也;水野宏昭;小林义之;长山将之 | 申请(专利权)人: | 福吉米株式会社;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C4/10 | 分类号: | C23C4/10;C23C4/12;H01J37/32 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 日本国爱知县清须*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷涂 粉末 形成 涂层 方法 以及 等离子体 构件 | ||
1.一种等离子体处理室,用于处理由等离子体处理的物体,所述等离子体处理室内具有抗等离子体构件,
其中所述抗等离子体构件包括:
衬底;以及
热喷涂涂层,设置在暴露于所述等离子体的所述衬底的至少一个表面上,
其中,所述热喷涂涂层由热喷涂粉末通过热喷涂形成,所述热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒,
其中,组成所述粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm,且
其中,所述粒化烧结颗粒的抗压强度是7到55MPa。
2.如权利要求1所述的等离子体处理室,其中所述热喷涂涂层通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末形成。
3.如权利要求1所述的等离子体处理室,其中所述粒化烧结颗粒的细孔尺寸的频率分布在等于或大于0.9μm处以及等于或小于2.4μm处具有局部最大值。
4.如权利要求2所述的等离子体处理室,其中热喷涂粉末的平均颗粒尺寸与费歇尔尺寸之比为1.1至6.5。
5.如权利要求1-4任一项所述的等离子体处理室,其中所述衬底由铝、铝合金、含铝陶瓷以及含碳陶瓷中至少一种物质形成。
6.一种抗等离子体构件,设置并用在等离子体处理室内,所述等离子体处理室用于处理由等离子体处理的物体,所述抗等离子体构件包括:
衬底;以及
热喷涂涂层,设置在暴露于所述等离子体的所述衬底的至少一个表面上,
其中,所述热喷涂涂层由热喷涂粉末通过热喷涂形成,所述热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒,组成所述粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm,且所述粒化烧结颗粒的抗压强度是7到55MPa,且
其中热喷涂粉末的平均颗粒尺寸与费歇尔尺寸之比为1.1至6.5。
7.如权利要求6所述的抗等离子体构件,其中所述热喷涂涂层通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末形成。
8.如权利要求6所述的抗等离子体构件,其中所述粒化烧结颗粒的细孔尺寸的频率分布在等于或大于0.9μm及等于或小于2.4μm处具有局部最大值。
9.如权利要求6-8任一项所述的抗等离子体构件,其中所述衬底由铝、铝合金、含铝陶瓷以及含碳陶瓷中至少一种物质形成。
10.一种抗等离子体构件,设置并用在等离子体处理室内,所述等离子体处理室用于处理由等离子体处理的物体,所述抗等离子体构件包括:
衬底;以及
热喷涂涂层,设置在暴露于所述等离子体的所述衬底的至少一个表面上,
其中,所述热喷涂涂层由热喷涂粉末通过热喷涂形成,所述热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒,组成所述粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm,且所述粒化烧结颗粒的抗压强度是7到55MPa,且
其中所述粒化烧结颗粒的细孔尺寸的频率分布在等于或大于0.9μm及等于或小于2.4μm处具有局部最大值。
11.如权利要求10所述的抗等离子体构件,其中所述热喷涂涂层通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末形成。
12.如权利要求10或11所述的抗等离子体构件,其中所述衬底由铝、铝合金、含铝陶瓷以及含碳陶瓷中至少一种物质形成。
13.一种等离子体处理室,用于处理由等离子体处理的物体,所述等离子体处理室内具有抗等离子体构件,
其中所述抗等离子体构件包括:
衬底;以及
热喷涂涂层,设置在暴露于所述等离子体的所述衬底的至少一个表面上,
其中,所述热喷涂涂层由热喷涂粉末通过热喷涂形成,所述热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒,组成所述粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm,且所述粒化烧结颗粒的抗压强度是7到55MPa,且
其中热喷涂粉末的平均颗粒尺寸与费歇尔尺寸之比为1.1至6.5。
14.如权利要求13所述的等离子体处理室,其中所述热喷涂涂层通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末形成。
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C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
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