[发明专利]电极、光伏器件和制作方法

权利要求书

1.一种透明电极，包括：

衬底；和

设置在衬底上的透明层，其中透明层包括：

(a)包括氧化锡镉的第一区域，

(b)包括锡和氧的第二区域，和

(c)介于第一区域和第二区域之间的包括镉、锡和氧的过渡区域，其中过渡区域中的镉对锡的原子比在过渡区域厚度上变化，

其中第二区域具有比第一区域的电阻率高的电阻率。

2.根据权利要求1的透明电极，其中第一区域中的镉对锡的原子比在约1.2∶1到约3∶1的范围。

3.根据权利要求1的透明电极，其中第一区域中的镉对锡的原子比在约1.5∶1到约2∶1的范围。

4.根据权利要求1的透明电极，其中第一区域中的镉对锡的原子比在第一区域的厚度上基本上恒定。

5.根据权利要求1的透明电极，其中第一区域具有约100nm到约400nm范围的厚度。

6.根据权利要求1的透明电极，其中氧化锡镉具有基本上单相尖晶石结晶结构。

7.根据权利要求1的透明电极，其中第二区域具有约20nm到约200nm范围的厚度。

8.根据权利要求1的透明电极，其中第二区域进一步包括镉并且镉的原子浓度小于约5％。

9.根据权利要求1的透明电极，其中第二区域进一步包括镉并且镉的原子浓度小于约0.5％。

10.根据权利要求1的透明电极，其中第二区域基本上无镉。

11.根据权利要求1的透明电极，其中过渡区域具有约40nm到约100nm范围的厚度。

12.根据权利要求1的透明电极，其中过渡区域中的镉对锡的原子比从第一区域向第二区域减少。

13.根据权利要求1的透明电极，其中第一区域具有小于约2×10^-4Ohms-cm的电阻率。

14.根据权利要求1的透明电极，其中第二区域具有大于约10^-2Ohms-cm的电阻率。

15.根据权利要求1的透明电极，其中透明电极具有大于约80％的平均光透过率。

16.一种光伏器件，包括：

衬底；

设置在衬底上的透明层；

设置在透明层上的第一半导体层；

设置在第一半导体层上的第二半导体层，以及

设置在第二半导体层上的背面接触层，其中透明层包括：

(a)包括氧化锡镉的第一区域，

(b)包括锡和氧的第二区域，和

(c)介于第一区域和第二区域之间的包括镉、锡和氧的过渡区域，其中过渡区域中的镉对锡的原子比在过渡区域厚度上变化，

其中第二区域具有比第一区域的电阻率高的电阻率。

17.根据权利要求16的光伏器件，其中第一半导体层包括硫化镉。

18.根据权利要求16的光伏器件，其中第二半导体层包括碲化镉。

19.根据权利要求16的光伏器件，其中第一半导体层具有约30nm到约150nm范围的厚度。

20.根据权利要求16的光伏器件，其中第二半导体层具有约1500nm到约4000nm范围的厚度。

21.根据权利要求16的光伏器件，其中光伏器件进一步包括介于透明层和第一半导体层之间的缓冲层。

22.根据权利要求21的光伏器件，其中缓冲层包括选自氧化锡、氧化铟、氧化锌和其组合的氧化物。

23.包括多个权利要求16所限定的光伏器件的光伏模块。