[发明专利]光致抗蚀剂及其使用方法

权利要求书

1.一种提供离子注入的半导体基材的方法，所述方法包含：

提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材，

其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分；和

施加离子到基材上。

2.权利要求1的方法，其中多酮组分是树脂。

3.权利要求1或2的方法，其中树脂1)包含光酸不稳定基团。

4.权利要求1至3任一的方法，其中多酮组分包含至少两个相邻但不是环原子的酮基。

5.一种涂覆的基材，所述涂覆的基材包括：

在其上涂敷有化学增幅的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体晶片，所述光致抗蚀剂组合物包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分；和

所述晶片具有施加的掺杂离子。

6.权利要求5的基材，其中多酮组分包含至少两个相邻但不是环原子的酮基。

7.一种形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法，所述方法包括：

(a)在基材上施加包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分的光致抗蚀剂；和

(b)将光致抗蚀剂涂层曝光于图案化的活化辐射。

8.权利要求7的方法，其中所述辐射具有193nm的波长。

9.权利要求7或8的方法，其中将光致抗蚀剂组合物施加在无机表面上。

10.权利要求7至9任一的方法，其中多酮组分包含至少两个相邻但环原子的酮基。

11.一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包含：

1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分。

12.权利要求8的光致抗蚀剂组合物，其中多酮组分是树脂。

13.权利要求8或9的光致抗蚀剂组合物，其中树脂1)包含光酸不稳定基团。