[发明专利]半导体的电化学蚀刻

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

a)提供半导体晶片，所述半导体晶片包括包含氧化的发射层的正面、背面及PN结；

b)使该半导体晶片与组合物接触，该组合物包含一种或多种氟氢化物源、一种或多种氟化物盐或其混合物以及一种或多种金属离子源；

c)在该组合物中产生电流；

d)施加预定时间的阳极电流，随后关闭该阳极电流一段预定时间，并重复该循环以在该半导体晶片的氧化的发射层上形成纳米多孔层；以及

e)施加阴极电流及光线以在该纳米多孔层上沉积金属。

2.权利要求1中的方法，其特征在于，所述氟氢化物源选自碱金属的氟氢化物、氟化铵、氟氢化铵、氟硼酸盐、氟硼酸、氟氢化锡、氟氢化锑、四氟硼酸四丁铵、六氟化铝以及脂族胺、芳香胺与含氮杂环化合物的季盐。

3.权利要求1中的方法，进一步包括选自氨基磺酸、磺酸、无机酸、氨基酸及羧酸中一种或多种的酸。

4.权利要求1中的方法，其特征在于，所述金属离子为镍离子、钯离子、钴离子或银离子。

5.权利要求1的方法，其特征在于，所述金属为镍、钯、钴或银。

6.一种方法，所述方法包括：

a)提供半导体晶片，所述半导体晶片包括包含氧化的发射层的正面、背面及PN结；

b)使该半导体晶片与组合物接触，该组合物包含一种或多种氟氢化物源、一种或多种氟化物盐源或它们的混合物；

c)在该组合物中产生电流；

d)施加预定时间的阳极电流，随后关闭该阳极电流一段预定时间，并重复该循环以在该半导体晶片的氧化的发射层上形成纳米多孔层；以及

e)使该半导体晶片与金属镀覆溶液接触；以及

f)在该金属镀覆溶液中产生电流以在该纳米多孔发射层上沉积金属。

7.权利要求6的方法，其特征在于，所述金属为镍。

8.权利要求7的方法，进一步包括在所述镍上沉积铜或银。

9.权利要求8的方法，进一步包括沉积所述铜的锡预镀物。

10.权利要求8的方法，进一步包括在所述银上沉积银预镀物。