[实用新型]图像传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及图像处理领域，尤其涉及一种图像传感器。

背景技术

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感技术是一种基于CMOS工艺的技术，在近十年来得到了快速的发展。CMOS图像传感器通过集成的模拟和数字电路对图像进行采集、传输、处理以及输出。这种技术相比较于其他类型的图像传感技术，具有集成度高、功耗低、成本低、功能强大等优点，是一种有着广阔前景的技术。

在公告号CN100452417C的中国专利中就公开了一种CMOS图像传感器，参考图1，示出了所述图像传感器的示意图。所述图像传感器包括：发光区(图中左侧区域)和电路区(图中右侧区域)，其中电路区设置有用于控制发光区各显示单元进行图像显示的控制电路，所述发光区包括多个显示单元，其中每个显示单元均包括一光电二极管和一晶体管，图1以一个显示单元为例。

所述显示单元包括：衬底100，位于衬底100上的P型阱区110，设置于P型阱区110中的隔离区域115，所述隔离区域115隔离发光区和电路区180；其中所述光电二极管140包括位于P型阱区110中的N型深掺杂区142、覆盖于所述N型深掺杂区142上的P型半导体层144。其中，P型半导体层144通过离子注入的钉扎工艺形成于N型深掺杂区142上，所述P型半导体层144。

但是，通过离子注入方式形成P型半导体层144后，所述P型半导体层144中的离子掺入浓度为一特定值，即光电二极管140的钉扎效果是固定的，但是，所述离子掺入浓度的P型半导体层144的钉扎效果有可能不足以使光电二极管140有较好的电性，由于离子注入已经完成，所述P型半导体层144中的离子掺入浓度已经不可改变，从而使光电二极管无法获得最佳的钉扎效果。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种钉扎效果较好的图像传感器。

为解决上述问题，一种图像传感器，包括形成于衬底上的光电二极管；依次覆盖于所述光电二极管上的绝缘层和透明导电层；所述透明导电层具有负电压信号加载端。

所述透明导电层的材料为氧化锌或氧化铟锡。

所述透明导电层的厚度在的范围内。

所述绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其组合。

所述绝缘层的厚度在的范围内。

还包括连接于透明导电层的插塞，所述插塞与外部负电压信号源相连。

还包括用于向光电二极管传输电荷的传输管。

所述传输管为MOS管。

所述衬底为P型硅衬底，所述图像传感器包括位于P型硅衬底上的多个P型阱区；形成于P型阱区中用于隔离各个显示单元的浅沟槽隔离区；所述MOS管位于显示单元的第一区域，所述MOS管包括：位于所述P型阱区上的栅极和栅极电介质，包围所述栅极电介质和栅极的侧墙，以及位于所述栅极和栅极电介质下方P型阱区表面处的掺杂区；所述光电二极管位于显示单元的第二区域，所述光电二极管包括：位于P型的硅衬底中、连接于MOS管的N型深掺杂区。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

1.通过插塞向透明导电层加载负电压信号，从而在光电二极管的表面形成反型层，所述反型层对光电二极管起到钉扎作用，通过改变所述负电压信号可以改变钉扎作用，进而使所述光电二极管可以获得最佳的钉扎效果。

2.所述钉扎的光电二极管还可以减小图像传感器的漏电流、提高蓝光的转换效率。

附图说明

图1是现有技术中图像传感器一实施例的示意图；

图2是本实用新型图像传感器一实施例的示意图；

图3是图2所示图像传感器制造方法一实施方式的流程示意图；

图4至图11是图3所示图像传感器制造方法形成的图像传感器一实施例的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。